[发明专利]带隙基准源无效
| 申请号： | 200910202046.0 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN102109871A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赵英瑞;李冬林;傅志军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 200203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基准 | ||
【权利要求书】：
1.一种带隙基准源，所述带隙基准源包括运放电路、带隙基准源的核心电路和启动电路，其特征在于：所述运放电路的输出电压作为所述运放电路的偏置电压连接至所述运放电路的偏置电压端。
2.如权利要求1所述的带隙基准源，其特征在于：所述核心电路和所述运放电路构成反馈回路。
3.如权利要求2所述的带隙基准源，其特征在于：所述运放电路中的运算放大器的同相输入端、反向输入端和输出端分别与所述核心电路中的节点1、节点2和偏置电压输入端相连接。
4.如权利要求1所述的带隙基准源，其特征在于：所述启动电路包括第四晶体管(M4)、第五晶体管(M5)和第四电阻(R4)，其中第四晶体管(M4)的漏极与所述运放电路的输出端相连，第四晶体管的栅极与第五晶体管(M5)的漏极相连并连接至第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端接vdd电压，所述第五晶体管(M5)的栅极与所述核心电路的输出基准电压Vref连接，所述第四晶体管(M4)和第五晶体管(M5)的源极接地。
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