[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及薄膜晶体管液晶显示器。

背景技术

现代社会多媒体技术相当发达，多半受益于半导体元件以及显示装置的进步。就显示而言，高品质、空间利用率、低功耗等一些优点的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)逐渐成为主流。

参照图1所示，一种典型的薄膜晶体管液晶显示器包括：上基板200、下基板100及上下基板间的液晶层400。其中，上基板200上通常设置有彩色滤光片，而下基板100集成有薄膜晶体管，上下基板外侧通常还粘贴有偏光片300。

参照图2所示，现有技术薄膜晶体管液晶显示器的一种下基板结构包括：多条交叉的扫描线111和数据线121，以及由多条扫描线111和数据线121定义的像素单元阵列，所述扫描线111由扫描线驱动电路110控制，数据线121由数据线驱动电路120控制。其中，所述像素单元进一步包括：像素电极140，以及与像素电极140相连的薄膜晶体管130。数据线121上的显示信号在薄膜晶体管130导通时传输至像素电极140，而薄膜晶体管130的导通与否则由扫描线111控制。

并且，扫描线驱动电路110的硬件开销由扫描线111的数量决定，而数据线驱动电路120的硬件开销由数据线121的数量决定。通常来说，扫描线驱动电路110的成本比数据线驱动电路120的成本低，且易于集成在下基板100上。因此，对于同样解析度的薄膜晶体管液晶显示器而言，增加扫描线111的数量且减少数据线121的数量，是节省薄膜晶体管液晶显示器整体成本的有效方法。

参照图3所示，现有技术的一种采用增加扫描线数量减少数据线数量的设计的下基板结构包括：多条交叉的扫描线和数据线，以及由多条扫描线和数据线定义的像素单元阵列。如图：每行像素电极140是由2根扫描线111控制的。若定义每行左起为第一像素，则每行第一像素、第三像素等奇数像素均是由扫描线111-1或扫描线111-3等奇数行扫描线驱动的；每行第二像素、第四像素等偶数像素均是由扫描线111-2或扫描线111-4等偶数扫描线驱动的。

参照图4所示，以图3中第一行像素单元为例，截取共用同一根数据线121的像素结构进一步说明。所述像素结构中，数据线121左侧薄膜晶体管的栅电极与扫描线111-1相连，且与扫描线111-1为同一金属层，所述左侧薄膜晶体管的源电极与数据线121相连，且与数据线121为同一金属层，所述左侧薄膜晶体管的漏电极130-1与像素电极140通过过孔130-2相连。数据线121右侧薄膜晶体管的栅电极与扫描线111-2相连，且与扫描线111-2为同一金属层，所述右侧薄膜晶体管的源电极与数据线121相连，且与数据线121为同一金属层，所述右侧薄膜晶体管的漏电极130-3与像素电极140通过过孔130-4相连。

上述像素结构中，薄膜晶体管的栅电极金属层与漏电极金属层重叠部分会产生栅漏寄生电容Cgd，所述栅漏寄生电容Cgd对像素跳变电压影响很大，以ΔVp表示所述像素跳变电压，其可由下述公式计算：

ΔVp＝{(Cgd)/(Clc+Cst+Cgd)}*Vg，

其中，Clc为液晶产生的电容，Cst为存储电容，Vg为扫描线上电压。

以CgdL1表示数据线121左侧薄膜晶体管对应的所述栅漏寄生电容，以CgdR1表示数据线121右侧薄膜晶体管对应的所述栅漏寄生电容。在理想生产工艺条件下，CgdL1＝CgdR1，则数据线121两侧像素的像素跳变电压一致，显示画面正常。

然而，在实际生产时，曝光不可避免地会出现对位偏差，当栅电极金属层与漏电极金属层曝光产生对位偏差时，所述数据线121两侧的薄膜晶体管对应的栅漏寄生电容就会不相等(CgdL1≠CgdR1)，则所述数据线121两侧像素的像素跳变电压就不一致，导致显示画面出现异常。