[发明专利]对半导体器件进行晶圆级老化测试的方法

权利要求书

1.一种对半导体器件进行晶圆级老化测试的方法，该方法包括：

将测试探针接触晶圆上的半导体器件的压焊建立电学连接并进行初始测试；

按照设置的老化测试规则通过测试探针对晶圆上的各个半导体器件施加电压应力，分别进行监控测试；

判断测得的晶圆上的各个半导体器件的相关的电学参数是否符合所设置的对应老化判断标准，确定符合的晶圆为好且老化等级为判断标准；确定不符合的晶圆失效。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置的老化测试规则和对应的判断标准可以调整。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置的老化测试规则为多个，对应的判断标准为多个。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在确定不符合的晶圆失效之前，该方法还包括：

再次按照设置的老化测试规则通过测试探针对晶圆上的各个半导体器件施加电压应力，分别测得相关的电学参数；

再次判断测得的晶圆上的各个半导体器件的相关的电学参数是否符合所设置的对应老化判断标准，确定符合的晶圆为好且符合老化等级判断标准；确定不符合的晶圆失效。