[发明专利]去胶方法

权利要求书

1.一种去胶方法，去胶对象位于低k值层间介质上方，该方法包括：

采用氧气O₂等离子体轰击去胶对象，并检测一氧化碳CO生成物，当检测到CO的下降量达到预设值时，停止O₂等离子体轰击过程，开始采用二氧化碳CO₂等离子体轰击去胶对象残留物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测CO生成物包括：

采用光发射谱检测CO信号值，按照预设取样频率对CO信号进行取样，当发现在第一预设时长内，CO信号的变化范围在预设范围内时，计算该时长内CO信号的平均值，将该平均值作为CO信号基准值，继续对CO信号进行取样，当发现在第二预设时长内CO信号基准值与CO信号值的差值始终大于预设值时，确定CO的下降量达到预设值。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预设值为CO信号基准值与a的乘积，其中，a的范围为0.8～0.9。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用O₂等离子体轰击去胶对象为：

采用的刻蚀反应腔的压力为：100～200毫托mtor，刻蚀反应腔的源压为：200～500瓦w，刻蚀反应腔的偏压为：0～200w，O₂的流量为：1000～2000毫升/分钟sccm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用CO₂等离子体轰击去胶对象残留物为：

采用的刻蚀反应腔的压力为：20～50mtor，刻蚀反应腔的源压为：200～500w，刻蚀反应腔的偏压为：0～200w，CO₂的流量为：300～500sccm，反应时间为：30～60秒。

6.如权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述去胶对象为光刻胶或有机抗反射涂层。