[发明专利]制造多晶硅的装置和方法

权利要求书

1.一种制造多晶硅的装置，包括：

反应室；

气体供应器，用于将硅烷气体供应给所述反应室；

激光照射器，用于通过将激光束照射到从所述气体供应器供应的所述硅烷气体来对所述硅烷气体进行热分解，生成多晶硅颗粒；以及

多晶硅颗粒接收器，用于接收和储存所述多晶硅颗粒。

2.如权利要求1所述的装置，其中，所述激光照射器通过将所述激光束从所述反应室的一侧行进到所述反应室的另一侧，将所述激光束照射到所述气体供应器和所述多晶硅颗粒接收器之间的部分上。

3.如权利要求1所述的装置，其中，所述多晶硅颗粒接收器包括：

被可分离地设置在所述反应室中的容器，所述容器通过开口与所述反应室相连通，以便所述反应室中生成的所述多晶硅颗粒平滑地进入到所述容器的内部；以及

辅助腔室，所述辅助腔室在所述辅助腔室包围所述容器的情况下与所述反应室相连，以便在将所述容器从所述反应室分离之后，在对所述开口进行密封时阻止氧气渗入所述容器中。

4.一种制造多晶硅的装置，包括；

反应室；

气体供应器，用于将硅烷气体供应给所述反应室；

激光照射器，用于通过将激光束照射到从所述气体供应器供应的所述硅烷气体来对所述硅烷气体进行热分解，生成多晶硅颗粒；以及

铸块成形部件，用于接收和储存所述多晶硅颗粒，并通过溶化所述多晶硅颗粒来形成铸块。

5.如权利要求4所述的装置，其中，所述激光照射器通过将所述激光束从所述反应室的一侧行进到所述反应室的另一侧，将所述激光束照射到所述气体供应器和所述铸块成形部件之间的部分上。

6.如权利要求4所述的装置，其中，所述铸块成形部件包括：

熔炉，用于接收和储存所述多晶硅颗粒，并且将所储存的多晶硅颗粒熔化；以及

至少一个加热器，用于加热所述熔炉。

7.如权利要求1或4所述的装置，还包括：

空气帘生成器，其设置在所述反应室内，用于阻止从所述气体供应器供应的硅烷气体与所述反应室的内侧面接触。

8.如权利要求1或4所述的装置，其中，在所述反应室的预定部分设置窗口，从而使得被照射的激光束通过所述窗口传输到所述反应室的内部。

9.如权利要求1或4所述的装置，其中，所述激光照射器包括：

激光振荡器，用于使所述激光束振荡；

光学系统，用于增强所述振荡后的激光束的均匀性；以及

激光功率接收器，用于接收所述激光束，

其中，所述激光振荡器和所述光学系统位于所述反应室的一个外侧处，而所述激光功率接收器位于所述反应室的另一外侧处。

10.一种制造多晶硅的方法包括：

通过气体供应器将硅烷气体供应给反应室；

通过将激光束照射到所述反应室来对所述硅烷气体进行热分解，生成多晶硅颗粒；以及

在多晶硅颗粒接收器中接收并储存所述多晶硅颗粒。

11.如权利要求10所述的方法，其中，照射所述激光束的过程包括通过将所述激光束从所述反应室的一侧行进到所述反应室的另一侧，将所述激光束照射到所述气体供应器与所述多晶硅颗粒接收器之间的部分上的步骤。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述多晶硅颗粒接收器包括被可分离地设置在所述反应室中的容器以及辅助腔室，所述容器通过开口与所述反应室相连通，以便在所述反应室中生成的所述多晶硅颗粒平滑地进入到所述容器的内部，所述辅助腔室在所述辅助腔室包围所述容器的情况下与所述反应室相连，

还包括，当在所述多晶硅颗粒接收器中接收并储存所述多晶硅颗粒的过程完成之后，在用于储存所述多晶硅颗粒的所述容器从所述反应室分离时，在所述辅助腔室的内部密封所述多晶硅颗粒接收器的所述容器的开口。

13.一种制造多晶硅的方法包括：

通过气体供应器将硅烷气体供应给反应室；

通过将激光束照射到所述反应室来对所述硅烷气体进行热分解，生成多晶硅颗粒；以及

在铸块成形部件中接收并储存所述多晶硅颗粒，并通过将储存在所述铸块成形部件中的所述多晶硅颗粒熔化来形成铸块。