[发明专利]光刻设备以及去除污染物的方法无效
| 申请号： | 200910174037.5 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101727017A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | A·M·C·P·德琼;H·詹森;J·C·J·范德东克;H·戈特;J·H·范德伯格 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;C11D1/66;C11D3/43;C11D3/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 以及 去除 污染物 方法 | ||
1.一种光刻设备，包括：流体供给系统，配置以将清洁流体提供到将要清洁的表面，所述清洁流体包括：
25-98.99wt％的水；
1-74.99wt％的选自一种或更多种二元醇醚、酯、醇和酮的溶剂；和
0.01-5wt％的表面活性剂。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述表面活性剂是疏水表面活性剂。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述溶剂选自一种或更多种二元醇醚或酯。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的设备，其中，所述溶剂是二甘醇丙醚。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的设备，其中，所述清洁流体包括：
65-79.99wt％的水；
20-34.99wt％的选自一种或更多种二元醇醚、酯、醇和酮的溶剂；
0.01-5wt％的表面活性剂；和视情况可选的
pH值调节化学试剂。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的设备，其中，所述清洁流体还包括pH值调节化学试剂。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的设备，其中，所述清洁流体基本上由以下成分构成：
74.7wt％的水；
25wt％的二甘醇丙醚；
0.2wt％L61；和
0.1wt％AD01。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的设备，其中，所述清洁流体基本上由以下成分构成：
84.9wt％的水；
15wt％的乳酸乙酯；和
0.1wt％的L61。
9.一种清洁光刻设备中的表面的方法，所述方法包括步骤：将清洁流体供给至将要清洁的表面，所述清洁流体包括：
25-98.99wt％的水；
1-74.99wt％的选自一种或更多种二元醇醚、酯、醇和酮的溶剂；和
0.01-5wt％的表面活性剂。
10.根据权利要求1-8中任一项所限定的清洁流体用于清洁光刻设备的用途。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司，未经ASML荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910174037.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
