[发明专利]低功函数电元件无效
| 申请号： | 200910165590.2 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101635229A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | M·F·艾米;S·E·小韦弗;S·E·雷迪;O·普拉卡什;E·伯克肯 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01H59/00 | 分类号： | H01H59/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;曹 若 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 函数 元件 | ||
1.一种电元件，包括：
至少两个关于彼此在断开位置和闭合位置之间可移动的电触点；
其中所述电触点中的至少一个包括具有小于大约3.5eV的功函数的材料；并且
其中处于所述闭合位置的所述电触点之间的距离大于0nm并且高达大约30nm。
2.如权利要求1所述的电元件，其中所述电触点中的至少一个包括具有低于大约2eV的功函数的材料。
3.如权利要求1所述的电元件，其中所述至少一个电触点包括材料，所述材料包括铯、钾、钠、钡、钙、氮化镓、镁、铝、银、硅、二氧化钛、DLC、金、钌或其的组合。
4.如权利要求1所述的电元件，其中所述至少两个电触点中的至少一个包括设置在衬底上的层。
5.如权利要求1所述的电元件，还包括设置在所述至少两个电触点中的至少一个电触点上的绝缘层，其中所述绝缘层至少部分地填充处于所述闭合位置的所述至少两个电触点之间的距离。
6.如权利要求1所述的电元件，其中处于所述断开位置的所述至少两个电触点中的任何两个之间的电阻大于大约1MΩ。
7.如权利要求1所述的电元件，其中所述电触点的表面粗糙度高达大约2nm。
8.如权利要求1所述的电元件，其中所述电元件是开关。
9.如权利要求8所述的电元件，其中所述开关包括MEMS器件。
10.一种器件，包括：
多个电开关；
其中每个电开关包括至少两个关于彼此在断开位置和闭合位置之间可移动的电触点；
其中所述电触点中的至少一个包括具有小于大约3.5eV的功函数的材料；并且
其中处于所述闭合位置的所述电触点之间的距离大于0nm并且高达大约30nm。
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