[发明专利]陶瓷封装的片式石英晶体频率器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910145377.5 申请日: 2009-05-20
公开(公告)号: CN101594120A 公开(公告)日: 2009-12-02
发明(设计)人: 姚一滨 申请(专利权)人: 上海晶赛电子有限公司
主分类号: H03H9/19 分类号: H03H9/19;H03H9/02;H03H3/02
代理公司: 上海天协和诚知识产权代理事务所 代理人: 张恒康
地址: 201800上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷封装 石英 晶体 频率 器件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种晶体频率器件及其制造方法,具体涉及一种陶瓷封装的 片式石英晶体频率器件的制造方法。

背景技术

目前,石英晶体频率器件广泛地应用于通讯、电视、数码产品以及工业 自动化等领域,用于产生时基振荡频率或进行选频。

石英晶体频率器件是利用石英晶体在交变电场的作用下,会产生机械振 动的原理制作而成。因此,它可不受外界电磁干扰的影响。在使用中,不需 要像其他频率元件那样,为防止电磁干扰而进行复杂的屏蔽。对电子产品的 小型化、集成化有着相当积极的意义。

由于石英晶体振子是通过机械振动的方式进行工作。因此,它必须要有 一个振动空间,也就是我们所说的石英晶体频率器件的振动空腔。现有的比 较先进的石英晶体频率器件是本申请人于2004年11月23日申请的“独石 型片式石英晶体频率器件及其制造方法”(申请号为:200410084466.0),但 是从实际使用来看,由于其下盖板凹坑的长度小于晶片的长度,这种型式的 产品存在以下二大问题:

1、大批量生产时,在点胶上片(放置晶片)过程中,由于在平面操作, 故晶片不能精确定位;部分晶片放置后位置偏移或歪斜等情况均有发生,造 成工序合格率的明显下降。

2、在大片封装时,有时粘合剂会从上盖板与下盖板的结合处渗漏出来 并延展至晶片附近甚至粘住晶片,从而影响产品的成品质量。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种陶瓷封装的片式石英晶体频率 器件及其制造方法。该片式石英晶体频率器件不仅产品尺寸小、气密性好, 而且制造成本低、效率高;同时用于制造该频率器件的方法不仅简单,而且 可靠。

为解决上述技术问题,一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,包括上 盖板、下盖板和晶片,在下盖板的内侧开有下盖板凹坑,晶片以导电胶固定 位于下盖板凹坑中,该频率器件的空腔由上盖板、下盖板凹坑组成,下盖板 凹坑的长度和宽度大于晶片的长度和宽度,下盖板凹坑的深度大于晶片厚 度;同时该频率器件还包括内电极和外电极,外电极位于下盖板外侧面上, 内电极位于下盖板内侧面的凹坑两侧。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,所述频率器件的端头棱边均 设有圆弧倒角,以保证内电极引出后与外电极连接可靠;同时,上盖板和下 盖板的长宽尺寸完全一致,且相对位置完全重合。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,所述该频率器件的上盖板上 开有上盖板凹坑;上盖板凹坑的长度和宽度大于下盖板凹坑的长度和宽度。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,所述下盖板凹坑包括上凹坑 和下凹坑,所述上凹坑的长度和宽度大于下凹坑的长度和宽度。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,所述下凹坑内有二处突起的 支架,该支架的高度小于下凹坑的深度,支架长度方向的距离小于石英晶片 长度。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,该频率器件下盖板内侧内电 极处设有电极凹坑,电极凹坑中用银浆印刷制备附加内电极,电极凹坑的深 度不小于附加内电极的厚度。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,所述下盖板由一底板和一孔 板粘结而成,孔板中间的通孔和底板共同构成下盖板凹坑。

所述的陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,所述下盖板内中部表面设有 内凹坑、四周设有防溢凹坑;所述内凹坑的长度和宽度小于石英晶片的长度 和宽度,而防溢凹坑围绕着石英晶片;同时下盖板的防溢凹坑的外侧位置上 还设有电极凹坑,电极凹坑中有用银浆印刷制备内电极,电极凹坑的深度不 小于内电极的厚度。

所述的任一陶瓷封装的片式石英晶体频率器件的制造方法的具体步骤 如下:

步骤一、根据产品平面尺寸要求,制作二片长宽尺寸完全一致的陶瓷片 分别作为上、下盖板待用,具体为:

(1)根据产品平面尺寸要求,制作二片长宽尺寸完全一致的陶瓷片, 其中一片作为上盖板待用;

(2)另外一片作为下盖板,在其中一面上形成m*n个列阵下凹坑,其 中,m≥1,n≥1;或制作一个带m×n个通孔的孔板和一平板并将两者粘结 在一起构成下盖板;

(3)在上述陶瓷下盖板外侧无凹坑面印刷银浆,烧结后形成外电极;

(4)在陶瓷下盖板的内侧有凹坑面制备内电极待用;

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