[发明专利]形成半导体器件的栅极的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的三栅极的方法，所述方法包括：

在衬底上形成缓冲层和硬掩模；

蚀刻所述硬掩模和所述缓冲层以形成硬掩模图案和缓冲图案；

利用所述硬掩模图案作为蚀刻阻挡层，通过气相蚀刻工艺部分地蚀刻 所述衬底而在所述衬底内形成间隔开的第一和第二沟槽；

在所述第一和第二沟槽的内表面上形成钝化层；

部分蚀刻所述硬掩模图案，以使得所述硬掩模图案的两侧与所述第一 和第二沟槽的两个边缘对准；

部分蚀刻所述缓冲图案，以使得所述缓冲图案的两侧与所述第一和第 二沟槽的两个边缘对准；

形成掩埋绝缘层以填充所述第一和第二沟槽；

移除所述硬掩模图案和所述缓冲图案；

使得所述掩埋绝缘层的一部分凹陷，从而部分暴露出所述第一和第二 沟槽的内壁；

在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述衬底上形成栅极绝缘层；

形成导电层以覆盖所述栅极绝缘层；和

蚀刻所述导电层以形成部分覆盖所述掩埋绝缘层的栅电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中使用氯化氢(HCI)或氯气(Cl₂) 实施所述气相蚀刻工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其中在约600℃～约1100℃的温度下实 施所述气相蚀刻工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在约0.01托～约760托的压力下实 施所述气相蚀刻工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层通过氧化工艺或沉积工 艺形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层包括形成厚度为约 ～约的热氧化物层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硬掩模图案包括氮化物层，所 述缓冲图案包括氧化物层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中使用磷酸溶液部分蚀刻所述硬掩模 图案，使用缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)或稀释的HF(DHF)部分蚀刻所 述缓冲图案。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩埋绝缘层包括高密度等离子体 (HDP)层或未掺杂的硅酸盐玻璃(USG)层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩埋绝缘层的形成包括：

沉积掩埋绝缘层以填充所述第一和第二沟槽；和

使用所述硬掩模图案作为抛光停止层来抛光所述掩埋绝缘层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括支撑衬底、掩埋绝缘 层和半导体衬底。