[发明专利]光电阴极以及具备该光电阴极的电子管无效
| 申请号： | 200910135940.0 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101572201A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 新垣实;广畑彻;吉田治正;菅博文 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 阴极 以及 具备 电子管 | ||
【权利要求书】：
1.一种光电阴极，其特征在于：
具备：
由单结晶的化合物半导体构成的支撑基板；
光吸收层，所述光吸收层被设置于所述支撑基板上，具有比所述支撑基板的能带隙更小的能带隙，吸收透过所述支撑基板的入射光而产生光电子；以及
被设置在所述光吸收层上并且使所述光吸收层的工作函数降低的表面层，
所述支撑基板由Al(1-X)GaXN(0≤X＜1)形成，
所述光吸收层由选自Al、Ga以及In的至少一种成分以及N构成的化合物半导体形成。
2.如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于：
所述表面层含有一种以上的碱金属或者碱金属化合物。
3.如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于：
形成所述支撑基板的Al(1-X)GaXN的组分在0≤X＜0.7的范围内。
4.如权利要求1所记述的光电阴极，其特征在于：
还具备介于所述支撑基板和所述光吸收层之间的缓冲层，所述缓冲层具有小于等于所述支撑基板的能带隙的能带隙。
5.如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于：
所述支撑基板为板状部件。
6.一种电子管，其特征在于：
具备：
如权利要求1所述的光电阴极；
收集从所述光电阴极释放的电子的阳极；以及
容纳所述光电阴极和所述阳极的真空容器。
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