[发明专利]光盘制造方法、原盘制造方法和光盘无效
申请号: | 200910134490.3 | 申请日: | 2009-04-21 |
公开(公告)号: | CN101567199A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 高桥谦作;中野淳;增原慎;坂本哲洋;高川繁树 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G11B7/26 | 分类号: | G11B7/26;G11B7/24 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光盘 制造 方法 | ||
1.一种光盘制造方法,包括以下步骤:
通过在基板上形成具有记录激光波长的≤17%且>0%厚度的蓄热层并形成无机抗蚀层来制造预曝光原盘;
通过执行记录激光照射,对所述原盘的所述无机抗蚀层执行具有凹坑和间隙的记录信号图样的曝光;
通过在曝光之后执行显影处理来制造具有含凹坑和间隙的凹坑阵列形状的原盘;
通过使用具有所述凹坑阵列形状的所述原盘来制造转印有所述凹坑阵列形状的压模;以及
制造具有预定层结构的光盘,所述预定层结构包括具有从所述压模转印的凹坑阵列形状和在所述凹坑阵列形状上形成的银或银合金反射膜的记录层。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,在光盘制造步骤中,在具有所述反射膜的所述记录层的一侧上至少形成覆盖层,其中,再生激光入射到这一侧上,以及
其中,使用所述压模转印的所述凹坑阵列形状的所述凹坑具有满足以下条件的形状:
0<dl≤0.20(λ/n),且
0≤dl-ds≤1/30(λ/n),
其中,ds表示最短凹坑的深度,dl表示具有预定长度以上的长凹坑的深度,n表示所述覆盖层的反射率,以及λ表示所述再生激光的波长。
3.一种原盘制造方法,包括以下步骤:
通过在基板上形成具有记录激光波长的≤17%且>0%厚度的蓄热层并形成无机抗蚀层来制造预曝光原盘;
通过执行记录激光照射,对所述原盘的所述无机抗蚀层执行具有凹坑和间隙的记录信号图样的曝光;以及
通过在曝光之后执行显影处理来制造具有含凹坑和间隙的凹坑阵列形状的原盘。
4.一种光盘,包括:
记录层,其中形成有具有凹坑和间隙的凹坑阵列形状以及具有银或银合金的反射膜;以及
覆盖层,形成在所述记录层的一侧,其中,再生激光入射到这一侧上,
其中,所述凹坑阵列形状的所述凹坑具有满足以下条件的形状:
0<dl≤0.20(λ/n),且
0≤dl-ds≤1/30(λ/n),
其中,ds表示最短凹坑的深度,dl表示具有预定长度以上的长凹坑的深度,n表示所述覆盖层的反射率,以及λ表示所述再生激光的波长。
5.根据权利要求4所述的光盘,其中,通过用记录激光照射无机抗蚀层来执行具有凹坑和间隙的记录信号图样的曝光,执行显影处理,通过使用具有含凹坑和间隙的凹坑阵列形状的原盘制造转印有所述凹坑阵列形状的压模,并且使用所述压模,将所述凹坑阵列形状转印至所述记录层。
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