[发明专利]配线电路基板有效
申请号: | 200910133622.0 | 申请日: | 2009-04-02 |
公开(公告)号: | CN101552026A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 何文逸;龟井胜利 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | G11B33/00 | 分类号: | G11B33/00;H05K1/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 配线电 路基 | ||
技术领域
本发明涉及配线电路基板。
背景技术
在硬盘驱动器装置等驱动装置中使用致动器。这种致动器具备以 能够围绕旋转轴旋转的方式设置的臂和安装在臂上的磁头用的悬挂 (suspension)基板。悬挂基板是用于将磁头定位在磁盘的期望的磁道 上的配线电路基板。
图11是表示现有的悬挂基板的一个例子的纵剖面图。在图11的 悬挂基板900上,在金属基板902上形成有绝缘层903。在绝缘层903 上以依次排列的方式形成有一对写入用导体W1、W2和一对读取用导 体R1、R2。
导体W1、W2、R1、R2的一端分别与磁头(未图示)连接。此外, 导体W1、W2、R1、R2的另一端分别与写入用和读取用的电路(未图 示)电连接。
在该悬挂基板900上,当在写入用导体W1、W2中流动写入电流 时,由于电磁感应而在读取用导体R1、R2中产生感应电动势。
这里,写入用导体W1、W2和读取用导体R1之间的距离比写入 用导体W1、W2和读取用导体R2之间的距离小。因此,在读取用导 体R1、R2中产生的感应电动势上产生差别。结果,在读取用导体R1、 R2中流通电流。即,在写入用导体W1、W2与读取用导体R1、R2之 间产生串扰。
于是,在日本特开2004-133988号专利公报中,为了防止在写入用 导体W1、W2和读取用导体R1、R2之间发生串扰,提出了图12所示 的配线电路基板。
图12是表示现有的悬挂基板的另一个例子的纵剖面图。在该悬挂 基板910上,在金属基板902上形成有第一绝缘层904。在第一绝缘层 904上,以相距距离L1的方式形成有写入用导体W2和读取用导体R2。
在第一绝缘层904上,以覆盖写入用导体W2和读取用导体R2的 方式形成有第二绝缘层905。在第二绝缘层905上,在读取用导体R2 的上方位置处形成有写入用导体W1,在写入用导体W2的上方位置处 形成有读取用导体R1。
位于上下的读取用导体R1和写入用导体W2之间的距离、以及位 于上下的读取用导体R2和写入用导体W1之间的距离均为L2。
在具有上述结构的图12的悬挂基板910中,写入用导体W1、W2 和读取用导体R1之间的距离分别与写入用导体W1、W2和读取用导 体R2之间的距离大致相等。因此,可以认为当在写入用导体W1、W2 中流过写入电流时,在读取用导体R1、R2中产生的感应电动势大致相 等。
可是,在图11和图12所示的悬挂基板900、910中,导体W1、 W2、R1、R2的阻抗根据导体W1、W2、R1、R2和金属基板902之间 的耦合电容的大小而发生变化。
这里,在图12所示的悬挂基板910中,写入用导体W1和金属基 板902之间的距离与写入用导体W2和金属基板902之间的距离不同。 此外,读取用导体R1和金属基板902之间的距离与读取用导体R2和 金属基板902之间的距离不同。
在此情况下,写入用导体W1和金属基板902之间的耦合电容与 写入用导体W2和金属基板902之间的耦合电容不同。此外,读取用 导体R1和金属基板902之间的耦合电容与读取用导体R2和金属基板 902之间的耦合电容不同。
因此,在悬挂基板910的构成中,在写入用导体W1和写入用导 体W2之间产生阻抗差,在读取用导体R1和读取用导体R2之间产生 阻抗差。由此,存在发生基于写入用导体W1、W2的差动信号的传输 错误和基于读取用导体R1、R2的差动信号的传输错误的问题。
发明内容
本发明的目的是提供能够充分防止发生信号的传输错误的配线电 路基板。
(1)本发明的一个方面的配线电路基板包括:导电性基板;在导 电性基板上形成的第一绝缘层;在第一绝缘层上形成的第一配线图案; 在第一绝缘层上在第一配线图案的一侧空开间隔地形成的第一接地图 案;以覆盖第一配线图案和第一接地图案的方式在第一绝缘层上形成 的第二绝缘层;在第二绝缘层上形成的第二配线图案;和以覆盖第二 配线图案的方式在第二绝缘层上形成的第三绝缘层,第一配线图案和 第二配线图案以夹着第二绝缘层相对的方式配置,第一和第二配线图 案构成第一信号线路对,第二配线图案的宽度被设定为大于第一配线 图案的宽度,第一接地图案的至少一部分区域和第二配线图案的至少 一部分区域以夹着第二绝缘层相对的方式配置。
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