[发明专利]一种晶体振荡装置及其负载电容的控制方法无效
| 申请号: | 200910126626.6 | 申请日: | 2009-03-05 |
| 公开(公告)号: | CN101499774A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
| 发明(设计)人: | 王胜利 | 申请(专利权)人: | 深圳华为通信技术有限公司 |
| 主分类号: | H03B5/20 | 分类号: | H03B5/20 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
| 地址: | 518129广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶体 振荡 装置 及其 负载 电容 控制 方法 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路设计,特别是关于一种晶体振荡装置及其负载电容的控制方法。
背景技术
如图1所示,现有的晶体振荡装置100包括振荡器101,所述的振荡器电路连接于晶体300用于输出时钟信号,电容Cd 400,Cg 500为负载电容,分别连接于晶体300的两端。
在使用带有晶体振荡装置的IC过程中,不同的晶体往往需要匹配不同容值的电容器,以使晶体能够正常工作,这个电容器就叫负载电容。随着IC技术越来越成熟,集成度越来越高,尤其是手持设备,几乎把所有电路模块集成到一个芯片内部,例如,电源管理(PM)、音频、LCD接口、摄像头接口、SD卡接口、USB接口等等。如图1所示,晶体振荡器电路集成在IC内部,晶体和负载电容放在集成电路(Integrated circuit,IC)的外部,因此晶体和负载电容会占去一部分印刷电路板(Printed Circuit Board,PCB)空间,这使本来就很复杂的PCB布局布线更加复杂。特别是在更换不同的晶体时,需要重新选择与更换后的晶体相匹配的负载电容,这也造成了使用上的不便。
发明内容
本发明的实施例提供一种晶体振荡装置,所述的装置包括:振荡器和晶体连接端口;所述的装置还包括:负载电容阵列,连接于所述振荡器与晶体连接端口之间,用于为晶体提供负载电容;阵列控制器,连接与所述负载电容阵列,用于控制所述的负载电容阵列的电容值,以使所述的负载电容阵列的电容值匹配所述的晶体。
本发明实施例还提供一种晶体负载电容阵列控制方法,所述的方法包括:产生控制信号,通过控制信号控制负载电容阵列的电容值,使所述的负载电容阵列的电容值与晶体匹配。
本发明实施例的有益效果在于,采用本发明的晶体振荡装置,设计者不需要添加外部电容器;提高硬件电路复用度,更改晶体时不需要更改其它任何硬件;不同负载电容的晶体可以相互替代,采购时可以选择的范围较大,降低采购风险和成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图:
图1为现有技术晶体振荡装置架构图;
图2为本发明第一实施例中晶体振荡装置示意图;
图3为本发明第二实施例中晶体振荡装置架构图;
图4为本发明第二实施例中所述的阵列控制器的架构图;
图5为本发明第五实施例中所述的方法的流程图;
图6为本发明第六实施例中所述的方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一:
本发明实施例一提供一种晶体振荡装置,所述的装置包括振荡器和晶体连接端口;所述的装置还包括:负载电容阵列,用于为晶体提供负载电容;阵列控制器,用于控制所述的负载电容阵列的电容值,以使所述的负载电容阵列的电容值匹配所述的晶体。
如图2所示,本实施例中的晶体振荡装置200包括振荡器201,振荡器201通过晶体连接端口204连接于一个晶体300,在振荡器201与晶体300之间连接,负载电容阵列203。振荡器201,用以提供振荡信号;负载电容阵列203,用于为晶体提供负载电容。晶体振荡装置200还包括阵列控制器202,用于控制所述的负载电容阵列203的电容值,以使所述的负载电容阵列203的电容值匹配所述的晶体300。
采用实施例的晶体振荡装置可以提高硬件电路复用度,更改晶体时不需要更改其它任何硬件,不同负载电容的晶体可以相互替代,采购时可以选择的范围较大,降低采购风险和成本。
实施例二:
如实施例一中的晶体振荡装置200,于本实施例中所述的负载电容阵列203包括电容及开关,如图3所示,所述的负载电容阵列203包括:
第一负载电容阵列203,所述的第一负载电容阵列203包括:
第一电容阵列单元2031,所述的第一电容阵列单元2031包括复数个电容Cd1、Cd2、Cd3、Cd4、Cd5……Cdn,所述这些电容以并联的方式连接;
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