[发明专利]平坦化的银纳米线透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种透明导电薄膜，包括基板、银纳米线导电层和平坦化层，其特征在于：在所述银纳米线导电层上布设平坦化层。

2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的平坦化层选用聚乙炔，或聚吡咯，或聚噻吩，或聚对苯乙烯，或聚苯胺，或聚(3，4-二氧乙基噻吩)/聚对苯乙烯磺酸，或前述材料的衍生物。

3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层是以银纳米线为主体形成的连续网络结构，可以根据需要填充其他的具有导电性的纳米材料。

4.根据权利要求3所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的具有导电性的纳米材料选用碳纳米管，或石墨烯，或氧化钌，或氧化镍，或氧化锌，或氧化锡，或ITO，或银，或铜，或金，或铝材料中的一种或多种材料的纳米结构构成的复合材料。

5.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层中银纳米线直径在3纳米到200纳米之间，长度在500纳米到100微米之间。

6.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层中银纳米线直径在10纳米到100纳米，长度在1微米到50微米之间。

7.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层的厚度在3纳米到1000纳米之间。

8.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的银纳米线导电层的厚度在20纳米到200纳米之间，在基片上单位面积上银纳米线的重量在5毫克/平方米到500毫克/平方米之间。

9.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的平坦化层的厚度在5纳米到1000纳米之间。

10.根据权利要求1所述的透明导电薄膜，其特征在于：所述的平坦化层选用聚(3，4-二氧乙基噻吩)/聚对苯乙烯磺酸或其衍生物。

11.根据权利要求1所述的透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：先用转印方法，或把包含银纳米线的悬浮液在基片上面形成均匀的膜层，经过干燥或热处理程序，在基片上形成均匀的银纳米线导电层；再采用喷涂，或丝网印刷，或辊涂，或旋涂的方法把平坦化层有机聚合物溶解后或熔化后的流体，或平坦化层有机聚合物的预聚物流体在银纳米线导电层上面形成均匀的膜层，经过干燥或热处理程序，在银纳米线导电层上面形成平坦化层。