[发明专利]用于四环素的分子印迹膜检测装置及其制备、检测方法有效

专利信息
申请号: 200910109507.X 申请日: 2009-07-31
公开(公告)号: CN101650335A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 王富生;何姝;王小仙;廖小卿 申请(专利权)人: 宇星科技发展(深圳)有限公司
主分类号: G01N27/413 分类号: G01N27/413;G01N27/30;C08F222/14;C08F212/08;C08F2/44;C08J9/26
代理公司: 深圳市精英专利事务所 代理人: 李新林
地址: 518000广东省深圳市南山区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 用于 四环素 分子 印迹 检测 装置 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于四环素的分子印迹膜检测装置的制备方法,其特征在于所述的检测装置,包括一反应器,所述的反应器设有工作电极和参比电极,所述的工作电极为四环素分子印迹膜电极,所述的四环素分子印迹膜电极包括电极基体,所述的参比电极为饱和甘汞电极; 

所述的电极基体是电沉积具有微纳米结构铂颗粒的钛片,其加工过程为:将钛片打磨至光滑,分别置于乙醇和去离子水超声清洗;采用直流电沉积法沉积铂颗粒,电解液组成为含有盐酸的的氯铂酸溶液;沉积结束后,用去离子水冲洗电极; 

所述的四环素分子印迹膜电极加工过程为:将模板分子、功能单体、交联剂、引发剂、致孔剂混合并超声溶解后通过光聚合法在电极基体上聚合,将电极基体浸渍到溶胶中,缓慢提拉出来,密封到石英管中,并且充氮气以除去其中的氧气;最后置于紫外灯下,两侧同时光照聚合,制备出表面覆盖分子印迹聚合物膜的电极;再将覆膜后的电极基体分别在乙醇和水中分别浸泡2-6个小时,以洗脱其中的模板分子,从而得到四环素分子印迹膜电极。 

2.根据权利要求1所述的一种用于四环素的分子印迹膜检测装置的制备方法,其特征在于所述电极基体的加工过程中是将工业纯钛片依次采用400、600、800、1000目的砂纸分别打磨至光滑,然后置于乙醇和去离子水中分别超声3和20分钟;采用直流电沉积法沉积铂颗粒,电解液组成为含有1.2mmol/L盐酸的2g/L的氯铂酸溶液;沉积电压为-0.35V,沉积30分钟。 

3.根据权利要求2所述的一种用于四环素的分子印迹膜检测装置的制备方法,其特征在于所述的分子印迹聚合物采用光引发自由基聚合方法制备而成;模板分子为四环素,功能单体为苯乙烯、交联剂为乙二甲基二醇丙烯酸脂(EGDMA)、引发剂为偶氮二异丁腈(AIBN)、致孔剂为甲醇;其加工过程中: 

首先,配置溶胶,将0.01~0.03g的模板分子和0.07g的引发剂溶于5~15ml的致孔剂中,加入240~1200μL的功能单体和2.67m1的交联剂,超声2~10分钟,形成均匀的溶胶; 

然后,用浸渍-提拉法,将制备好的电极基体浸渍到溶胶中10~30秒,缓慢提拉出来,密封到石英管中,并且充氮气5~15分钟以除去其中的氧气; 

最后,置于紫外灯下,两侧同时光照聚合2~8小时; 

以上步骤重复两次,制备出表面覆盖分子印迹聚合物膜的电极,再将覆膜后的电极在乙醇和水中分别浸泡2~6个小时,以洗脱其中的模板分子,从而得到四环素分子印迹膜电极。 

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