[发明专利]含门电极的纳米电极对的制备方法及所制备的纳米电极对

权利要求书

1.一种含有门电极的纳米电极对的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在基底上制备碳纳米管十字架构型，所述碳纳米管十字架构型至少中心部分悬空于基底上方；

步骤二、以所述碳纳米管十字架构型为阻挡层，围绕碳纳米管十字架构型的中心位置制备第一对电极和第二对电极，所述第一对电极和所述第二对电极的每对中的两个电极彼此相对；

步骤三、去除所述碳纳米管十字架构型。

2.根据权利要求1所述的含门电极的纳米电极对的制备方法，其特征在于，所述步骤一包括：

步骤A、在所述基底上制备两对辅助电极，其中第一对辅助电极将第一根碳纳米管悬空的固定在所述基底上，第二对辅助电极中的两个电极分别位于所述第一根碳纳米管两侧；

步骤B、在所述第二对辅助电极的两个电极之间施加交变电场，将第二根碳纳米管拉到所述第二对辅助电极之间，所述第二根碳纳米管和第一根碳纳米管组成所述碳纳米管十字架构型。

3.根据权利要求2所述的含门电极的纳米电极对的制备方法，其特征在于，所述步骤A包括：

制备含碳纳米管的悬浊液；

在所述基底上涂覆第一层光刻胶，然后在所述第一层光刻胶上添加所述含碳纳米管的悬浊液，对沉积在所述第一层光刻胶上的所述第一根碳纳米管进行定位，并在其上涂覆第二层光刻胶；

利用曝光、显影和蒸镀技术在涂覆有光刻胶的所述基底上制作所述两对辅助电极；

进行去胶程序。

4.根据权利要求3所述的含门电极的纳米电极对的制备方法，其特征在于，所述第一层光刻胶厚度为80-120纳米，所述第二层光刻胶厚度为200-300纳米。

5.根据权利要求2所述的含门电极的纳米电极对的制备方法，其特征在于，在施加所述交变电场时，所述第二对辅助电极与一电阻串联，所述电阻的阻值大于20兆欧姆。

6.根据权利要求1所述的含门电极的纳米电极对的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，所述第一对电极和所述第二对电极的制备是在所述碳纳米管十字架构型上涂覆一层光刻胶，然后利用曝光、显影以及蒸镀技术实现的，并且在制备好所述第一对电极和所述第二对电极之后，包括去胶程序。

7.根据权利要求6所述的含门电极的纳米电极对的制备方法，其特征在于，所述光刻胶厚度为400-600纳米。

8.根据权利要求1-7之一所述的含门电极的纳米电极对的制备方法，其特征在于，所述第一对电极和第二对电极的厚度小于所述碳纳米管十字架构型距离所述基底的距离。

9.根据权利要求1-7之一所述的含门电极的纳米电极对的制备方法，其特征在于，所述基底为Si或SiO₂，所述碳纳米管为利用电弧放电法制备的多壁碳纳米管。

10.一种含门电极的纳米电极对，其是采用根据权利要求1-7之一所述的含门电极的纳米电极对的制备方法制备的。