[发明专利]水平电场型液晶显示装置及制造方法

说明书

技术领域

本发明属于微电子领域，特别涉及水平电场型液晶显示装置及制造方法。 

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，简称为LCD)是一种主要的平板显示装置(Flat Panel Display，简称为FPD)。 

根据驱动液晶的电场方向，液晶显示装置分为垂直电场型液晶显示装置和水平电场型液晶显示装置。垂直电场型液晶显示装置包括：扭曲向列(TwistNematic，简称为TN)型液晶显示装置；水平电场型液晶显示装置包括：边界电场切换(Fringe Field Switching，简称为FFS)型液晶显示装置，共平面切换(In-Plane Switching，简称为IPS)型液晶显示装置。 

一般来讲，在液晶显示装置中，在像素电极和公共电极之间会形成存储电容，在像素电极这数据线之间形成寄生电容。其中，存储电容用于排列液晶以显示画面，寄生电容是作为干扰电容扰乱液晶的正常排列。因此，在制造液晶显示装置的过程当中，为了防止由寄生电容引起的不良现象，需要在像素电极和数据线之间设置一定的间隔。这样会导致了黑矩阵的遮挡面积增加，从而减低了开口率。 

开口率是评价液晶显示装置的一个主要指标。 

现有的一种提高开口率的技术：在像素电极和数据线之间涂布厚厚的有机绝缘层，通过增加像素电极和数据线之间的直线距离的方法降低了寄生电容的干扰。即形成数据线后，在基板上形成有机绝缘膜，最后在该有机绝缘膜上形成像素电极。通过增加有机绝缘膜的后的方法可以提高30％左右的开口率。 

现有的另一种提高开口率的技术：在第一基板上形成彩色树脂的方法。 

另外，宽视角也是评价液晶显示装置的一个主要指标。水平电场技术是实现宽视角的技术中一个应用较为广泛的技术。 

图1为现有的水平电场型液晶显示装置的截面示意图。如图1所示，该液晶显示装置包括：第一基板11和第二基板21。其中第一基板11包括：公共电极13位于第一基板11上，栅电极12位于公共电极13的一侧，栅绝缘层14覆盖了栅电极12和公共电极13，在栅电极12的上方设有半导体层15，在半导体层15设有数据线16，钝化层17覆盖了整个基板，像素电极18形成在钝化层17上，像素电极18通过钝化层17的过孔与数据线电连接。 

在这里，水平电场型液晶显示装置通过在第一基板上形成像素电极和公共电极以形成水平电场，并且通过水平电场在水平面内控制液晶的排列，以实现较好的宽视角性能。 

由于水平电场型液晶显示装置的结构不同于垂直电场型液晶显示装置的结构，因此无法采用上述的两种提高开口率的技术。具体为：在水平电场型液晶显示装置中采用第一种提高开口率的技术，则会导致像素电极和公共电极之间的直线距离变大，从而不能有效地形成水平电场。在水平电场型液晶显示装置中采用第二种提高开口率的技术，则彩色树脂将会位于水平电场区域，同时液晶会位于水平电场之外，因此即使形成了水平电场也无法用该水平电场有效地排列液晶。 

发明内容

本发明的目的是提供一种水平电场型液晶显示装置及制造方法，以克服现有技术中无法在水平电场型液晶显示装置中采用提高开口率的技术的缺陷。 

为实现上述目的，本发明提供了一种水平电场型液晶显示装置，包括：第一基板、第二基板以及夹在所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层， 所述第一基板包括：多个薄膜晶体管、用于驱动所述多个薄膜晶体管的栅线和数据线，所述第二基板包括：多个像素电极以及与所述像素电极对应并形成水平电场的公共电极，以及所述水平电场型液晶显示装置还包括：用于将每个所述像素电极和每个所述薄膜晶体管分别进行电连接的多个导电隔垫物。 

其中，每个所述导电隔垫物的一端设置在对应的所述像素电极上，另一端设置在对应的所述薄膜晶体管上，以电连接所述像素电极和所述薄膜晶体管。 

其中，还包括彩色树脂，所述彩色树脂位于所述第一基板上面或者位于所述第二基板上面。 

其中，还包括黑矩阵，所述黑矩阵位于所述第一基板上面或者位于所述第二基板上面。 

其中，所述像素电极设有能够与所述公共电极形成水平电场的多个缝隙。