[发明专利]利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法

权利要求书

1.一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤1：在激光器的出光面上制作一层金属薄膜；

步骤2：在金属薄膜上涂敷一层液态阻蚀剂；

步骤3：把压印模板上的纳米图案压在液态阻蚀剂上；

步骤4：采用压印技术，使液态阻蚀剂固化；

步骤5：脱模，把纳米图案转移到阻蚀剂上；

步骤6：等离子体刻蚀多余阻蚀剂，在金属薄膜表面形成由阻蚀剂构成的纳米图案；

步骤7：反应离子刻蚀，把纳米图案转移到金属薄膜上；

步骤8：去除剩余的阻蚀剂，完成制备。

2.根据权利要求1所述的利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，其中所述的压印技术是热压印技术，阻蚀剂的固化是采用降温的方法。

3.根据权利要求1所述的利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，其中所述的压印技术是紫外冷压印技术，阻蚀剂的固化是采用紫外光照射的方法。

4.根据权利要求1所述的利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，其中金属薄膜为钛、金或者银金属。

5.根据权利要求1所述的利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，其中所用激光器是面发射激光器，包括单模和多模面发射激光器。

6.根据权利要求1所述的利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，其中利用纳米压印技术制作的金属纳米结构包括各种形状的孔、孔阵、金属纳米颗粒、各种形状的纳米沟槽，及其各种纳米结构的组合。

7.一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤1：在激光器的出光面上涂敷一层纳米压印液态阻蚀剂；

步骤2：把压印模板上的图案压在液态阻蚀剂上；

步骤3：采用压印技术，使液态阻蚀剂固化；

步骤4：脱模，把纳米图案转移到阻蚀剂上；

步骤5：等离子体刻蚀多余阻蚀剂，在激光器表面形成由阻蚀剂构成的纳米图案；

步骤6：在激光器上的纳米图案表面制作一层金属；

步骤7：利用带胶剥离技术去除阻蚀剂，完成制备。

8.根据权利要求7所述的利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，其中所述的压印技术是热压印技术，阻蚀剂的固化是采用降温的方法。

9.根据权利要求7所述的利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，其中所述的压印技术是紫外冷压印技术，阻蚀剂的固化是采用紫外光照射的方法。

10.根据权利要求7所述的利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，其中金属薄膜为钛、金或者银金属。

11.根据权利要求7所述的利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，其中所用激光器是面发射激光器，包括单模和多模面发射激光器。

12.根据权利要求7所述的利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，其中利用纳米压印技术制作的金属纳米结构包括各种形状的孔、孔阵、金属纳米颗粒、各种形状的纳米沟槽，及其各种纳米结构的组合。