[发明专利]一种Fe12Sm4零维结构配合物磁性材料及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及异金属-有机配合物磁性材料，特别是一种Fe₁₂Sm₄零维结构配合物磁 性材料及其制备方法。

背景技术

近年来，具有精美结构和独特磁性的高核配合物，特别是单分子磁体(SMMs)已经 引起了人们极大的研究兴趣(见文献：Stamatatos，T.C.；Abboud，K.A.；Wemsdorfer，W.； Christou，G.Angew.Chem.Int.Ed.2006，45，4134-4137；Manoli，M.；Johnstone，R.D.L.； Parsons，S.；Murrie，M.；Affronte，M.；Evangelisti，M.；Brechin，E.K.Angew.Chem.Int.Ed. 2007，46，4456-4460；Tasiopoulos，A.J.；Perlepes，S.P.Dalton Trans.2008，5515-5522等)。 单分子磁体展示出的慢弛豫现象和量子效应使它们可能应用于高密度信息器件、量子 计算机和分子自旋电子学中。目前，已报道的纳米磁体大多数是含有Mn^III和Co^II的多 核过渡金属簇，这是因为Mn^III和Co^II大的单离子磁各项异性对单分子磁体的磁性行为 有至关重要的作用。而铁簇展示慢磁弛豫的磁各向异性却很大程度上取决于分子结构 中的不对称交换作用，这是很难把握的(见文献：Rajaraman，G.；Cano，J.；Brechin，E.K.； McInnes，E.J.L.Chem.Commun.，2004，1476-1477；Liu，T.；Zhang，Y.-J.；Wang，Z.-M.； Gao，S.J.Am.Chem.Soc.2008，130，10500-10501等)。另外，从单核Ln^III化合物展现出 慢的磁弛豫现象可以看出，Ln^III离子具有较大的磁各项异性(见文献：Mishra，A.； Wemsdorfer，W.；Abboud，K.A.；Christou，G.J.Am.Chem.Soc.2004，126，15648-15649； Osa，S.；Kido，T.；Matsumoto，N.；Re，N.；Pochaba，A.；Mrozinski，J.J.Am.Chem.Soc.2004， 126，420-421等)。因此，将Sm^III引入到Fe^III簇体系能诱导新合成的分子具有较大的磁 各项异性，磁各项异性结合非零自旋基态就可能导致出现慢的磁弛豫现象，这将成为 一种简单而有效的构筑单分子磁体的新方法，这种方法的研究和探索，对于分子基磁 体领域有着非常重要的意义，对开发新型材料也会产生很大的影响。

发明内容

本发明的目的在于针对上述问题，提供一种能在低温条件下呈现慢的磁弛豫现象、 制备方法简单且效率高、成本低的Fe₁₂Sm₄零维结构配合物磁性材料及其制备方法

一种Fe₁₂Sm₄零维结构配合物磁性材料，化学式为 [Fe₁₂Sm₄(μ₄-O)₆(μ₃-O)₄(μ₃-OH)₄(PhCO₂)₂₄]，其中心铁离子是六配位、中心钐离子是八配 位，十二个铁离子和四个钐离子通过μ₃-OH^-、μ₃-O^2-、μ₄-O^2-和苯甲酸根桥连，构成具 有十六核结构的零维分子。