[发明专利]基于光固化技术的薄膜太阳能电池封装方法无效
申请号: | 200910060344.0 | 申请日: | 2009-08-14 |
公开(公告)号: | CN101692471A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 朱宗文 | 申请(专利权)人: | 朱宗文 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/18;H01L31/048;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48;H01L51/42;H01L31/0203;H01G9/004;H01L51/44;H01L51/46 |
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地址: | 610041 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 光固化 技术 薄膜 太阳能电池 封装 方法 | ||
1.基于光固化技术的薄膜太阳能电池封装方法,其特征在于:首先在前面板基材上制备太阳能电池芯片,再利用光固化技术在其上快速成型封装材料层,其中所述封装材料层包括一个光固化水氧阻隔层和一个具有良好耐候性能的光固化最外保护层,封装顺序是:先在制备有太阳能电池芯片的前面板基材上光固化水氧阻隔层,再在光固化水氧阻隔层上光固化最外保护层,以前面板基材、太阳能电池芯片、光固化水氧阻隔层、光固化最外保护层的叠层顺序完成太阳能电池的封装加工。
2.根据权利要求1的方法,其中所述光固化技术包括利用光(紫外或可见光)或电子束为能源,引发具有化学反应活性的液态物质快速转变为固态的技术。
3.根据权利要求1的方法,其中所述的太阳能电池芯片是在前面板基材上制备的薄膜太阳能电池芯片。
4.根据权利要求1和3,其中所述的薄膜太阳能电池包括非晶硅薄膜太阳能电池,微(多)晶硅薄膜太阳能电池,铜铟硒薄膜太阳能电池,铜铟镓硒薄膜太阳能电池,碲化镉薄膜太阳能电池,染料敏化薄膜太阳能电池,有机薄膜太阳能电池。
5.根据权利要求1和3,其中所述前面板基材可以是硬质,如玻璃板硬质材料,或者软质材料,如金属膜和/或片材或者合适的塑料材料,如聚酯,优选钢化玻璃。
6.根据权利要求1的方法,上述电池封装材料层由一个光固化水氧阻隔层和一个具有良好耐候性的光固化最外保护层组成。
7.根据权利要求1和6,其中所述光固化水氧阻隔层是由一种其固化膜水蒸汽透过率优选≤1g/m2.day和氧气透过率优选≤1cc/m2.day(更优选的是水蒸汽透过率优选≤0.01g/m2.day和氧气透过率优选≤0.01cc/m2.day)的光固化材料通过光固化技术制成。
8.根据权利要求7,其中所述光固化材料是一种光固化胶水,或称UV胶,其在25℃下测量的粘度优选为100-15000mPa.s,更优选的是100-10000mPa.s,最优选的是100-6000Pa.s。
9.根据权利要求1,6和7,其中所述光固化水氧阻隔层的厚度优选在100-1500μm,更优选在200-1200μm,最优选的在400-700μm。
10.根据权利要求1和6,其中所述光固化最外保护层是由一种其固化膜硬度优选≥2H(更优选≥3H,最优选≥4H)并具有良好耐候性能、抗划伤性能、耐磨性能及耐潮湿的光固化材料通过光固化技术制成。
11.根据权利要求10,其中所述光固化材料是一种光固化涂料,或称UV涂料,其在25℃下测量的粘度优选在1-2000mPa.s,更优选在1-500mPa.s,最优选在1-100mPa.s。
12.根据权利要求1,6和10,其中所述光固化最外保护层的厚度优选在5-100μm,更优选在10-50μm,最优选的在15-30μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的