[发明专利]基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法

权利要求书

1.一种基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，其特征在于，包含以下步骤：

①将高掺杂光纤端面浸入腐蚀液进行腐蚀，在其端面将纤芯部分腐蚀而形成微孔，所述腐蚀液为氢氟酸和强无机酸的混合液，所述高掺杂光纤的光纤纤芯掺杂，掺杂质包括稀土元素、锗和硼，掺杂浓度高于普通单模光纤的掺锗浓度，包层为纯石英；

②将经步骤①得到的高掺杂光纤清洗掉残余的腐蚀液，然后置于无尘环境中晾干或用吹风机吹干；

③将两根经过步骤②处理后得到高掺杂光纤的微孔相对进行熔接、或者将一根经过步骤②处理后得到的高掺杂光纤的微孔与一根单模光纤端面进行熔接，形成光纤珐珀传感器。

2.根据权利要求1所述的基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，其特征在于，所述强无机酸浓度大于1％，且强无机酸能跟光纤纤芯的掺杂物质反应，生成可溶性物质，。

3.根据权利要求2所述的基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，所述强无机酸包括盐酸、硝酸和硫酸。

4.根据权利要求1所述的基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，其特征在于，所述氢氟酸浓度大于1％。

5.根据权利要求1所述的基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，其特征在于，强无机酸和氢氟酸的体积比大于1∶20。