[发明专利]一种闪存读写方法与闪存设备

说明书

技术领域

本发明涉及领域电子技术领域，尤其涉及一种闪存读写方法与闪存设备。

背景技术

闪存(Flash)是一种非易失性随机访问存储介质，其不同于传统的易失性随机访问存储介质和挥发性存储器，当发生断电后其上数据不会消失，因此闪存可以作为外部存储器使用。与非型(NAND)闪存是一种常见的闪存设备，其从结构上可分为多层式储存单元(MLC，Multi Level Cell)与单层式储存单元(SLC，Single Level Cell)。其中，多层式与非型(NAND)闪存因为数据存储密度大、存储效率高而获得广泛应用。

由于NAND闪存的地址、数据与命令的输入输出端口(I/O，Input/Output)通道是复用的，其读写数据的过程比较复杂。NAND闪存写入数据的过程包括：先发送一个时钟周期的写命令1，再发送五个时钟周期的写地址，然后写入数据，写数据过程完成后，再发送一个时钟周期的写命令2表示数据已写完，再经过一段时间的写潜伏期后，进入查询状态判断是否写数据成功，如果没有成功写入数据则需要重新写入。NAND闪存读取数据的过程包括：先发送一个时钟周期的读命令1，再发送五个时钟周期的读地址，再发送一个时钟周期的读命令2，再经过一段时间的读潜伏期后，开始读出数据。

发明人发现，现有的多层式NAND闪存技术至少存在以下缺陷：由于多层式NAND闪存在数据读写过程中要经过一定时间的读潜伏期或写潜伏期，在读/写潜伏期内输入输出端口不能一直读/写数据，影响了数据读/写的效率。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种闪存读写方法与闪存设备，以提高多层式与非型闪存的读写速度。

根据本发明的一实施例，提供一种闪存读写方法，包括如下步骤：

多层式与非型闪存中的多个层被预先划分为多个读写单元，所述多层式与非型闪存中的一个或数个层被预先划分为一个读写单元，所述每个读写单元在读/写数据一段时间后从读/写操作期进入读/写潜伏期；

当所述多个读写单元中的一个读写单元从读/写操作期进入读/写潜伏期时，从所述另一个读写单元中读/写数据。

根据本发明的又一实施例，提供一种闪存设备，所述设备包括控制单元和至少一个多层式与非型闪存；

所述至少一个多层式与非型闪存中包括多个读写单元，所述多层式与非型闪存中的一个或数个层被预先划分为一个读写单元，所述每个读写单元用于在读/写数据一段时间后从读/写操作期进入读/写潜伏期；

所述控制单元，用于当所述多个读写单元中的一个读写单元从读/写操作期进入读/写潜伏期时，从所述多个读写单元中的另一个读写单元中读/写数据。

根据对上述技术方案的描述，本发明实施例有如下优点：多层式与非型闪存中的多个层被预先划分为多个读写单元，当所述多个读写单元中的一个读写单元从读/写操作期进入读/写潜伏期时，从所述另一个读写单元中读/写数据，使得处于读/写操作期的读写单元在其它一个或多个读写单元的读/写潜伏期内进行数据读写，提高了数据读/写效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的实施例一提供的一种闪存读写方法的流程示意图；

图2为了一种多层式与非型闪存的结构示意图；

图3为本发明实施例二提供的多层式与非型闪存中多个读写单元依次进入读/写操作期的示意图；

图4为本发明的实施例三提供的一种闪存设备的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要注意的是，以下实施例只是本发明的优选实施例，这些实施例只用于描述本发明而不用于限定本发明。

实施例一

图1为本发明的实施例一提供的一种闪存读写方法的流程示意图，该方法包括如下步骤：

S11：多层式与非型闪存中的多个层被预先划分为多个读写单元，所述每个读写单元在读/写数据一段时间后从读/写操作期进入读/写潜伏期。