[发明专利]高分子正温度系数热敏电阻器及其制造方法无效
申请号: | 200910051614.1 | 申请日: | 2009-05-20 |
公开(公告)号: | CN101556849A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 袁晓芳;王军;李从武 | 申请(专利权)人: | 上海长园维安电子线路保护股份有限公司 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02;H01B1/20 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人: | 董 梅 |
地址: | 201202上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高分子 温度 系数 热敏 电阻器 及其 制造 方法 | ||
1、一种高分子正温度系数热敏电阻器,它由片状芯材和贴覆于上述片状芯材两面的金属箔片、焊接在该金属箔片外表面上的片状或引线状的金属电极构成,其特征在于:所述的片状芯材由高分子聚合物、导电填料、无机填料和加工助剂混合而成,按重量百分含量计为:
高分子聚合物 35~65%
导电填料 35~65%
无机填料 0~20%
加工助剂 0.1~5%,
其中,所述的高分子聚合物为聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯或其共聚物中的一种或两种以上聚合物的共混物;
所述的芯材组分中导电填料是下述一种或几种材料的混合物,为炭黑、石墨、碳纤维、金属粉末、金属氧化物中的一种或多种;
所述的芯材组分中无机填料是粒径不大于50μm的无机物,为氧化镁、氧化铝、二氧化硅、陶土、滑石粉、碳酸钙、氢氧化镁、氢氧化铝中的一种或多种的混合物。
2、根据权利要求1所述的高分子正温度系数热敏电阻器,其特征在于:所述的加工助剂为抗氧剂、交联促进剂和偶联剂,其中,抗氧剂为酚类或胺类化合物,交联促进剂为多官能团不饱和化合物,偶联剂为硅烷或钛酸酯类有机化合物。
3、针对权利要求1或2所述的高分子正温度系数热敏电阻器的制造方法,由芯材两面贴覆金属箔片并在该金属箔片外表面上焊接片状或引线状的金属电极制成,其特征在于包括下述步骤:
第一步:将高分子正温度系数热敏电阻器的芯材组分高分子聚合物、导电填料、无机填料和加工助剂在球磨机中预混,球磨转速180~280rpm,球磨时间10~120min,制成预混料;
第二步:将预混料用双螺杆挤出机挤出造粒,颗粒再用单螺杆挤出制成片状芯材,同时将金属箔片复合于片状芯材的上下两个表面,制成面积为100~1000cm2,厚0.1~1.0mm的复合片材;
第三步:将复合片材冲成小片,焊接上片状或引线状的金属电极,再对复合片材进行辐照交联,制成高分子正温度系数热敏电阻器。
4、根据权利要求3所述的高分子正温度系数热敏电阻器的制造方法,其特征在于:第二步中,双螺杆挤出机分为九个混料段,从进料口至出口混料段的温度依次为:150~185℃,155~185℃,155~185℃,155~185℃,155~185℃,155~185℃,155~185℃,155~185℃,150~180℃,双螺杆转速为200~280rpm;单螺杆挤出的温度在140~180℃之间,单螺杆转速为5~30rpm。
5、根据权利要求3所述的高分子正温度系数热敏电阻器的制造方法,其特征在于:第三步中,所述的辐照交联采用γ射线(Co60)或电子束,剂量为5~100Mrad。
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