[发明专利]可靠性测试方法

权利要求书

1.一种可靠性测试方法，其特征在于，包括：

选定用于本次可靠性测试的样本数，以及测试芯片中测试扇区的数量；

根据已选定的本次可靠性测试的样本数，以及已选定的测试扇区的数量，获得本次可靠性测试中测试芯片的数量；

以所述测试芯片的数量和测试扇区的数量，进行本次可靠性测试，

其中，所述本次可靠性测试的样本数与本次可靠性测试中测试芯片的数量与所述测试芯片中测试扇区数量的乘积成正比。

2.如权利要求1所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述本次可靠性测试中测试芯片的数量根据下述公式获得：

M＝S/m，其中S为选定的本次可靠性测试的样本数，m为选定的本次可靠性测试中测试扇区的数量。

3.如权利要求1所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述本次可靠性测试中测试芯片的数量根据下述公式获得：

M＝S/(f×m)，其中S为选定的本次可靠性测试的样本数，m为本次可靠性测试中测试扇区的数量，f为失效偏差。

4.如权利要求3所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述测试芯片为存储器芯片，所述失效偏差为随着测试扇区数不同，所述存储器芯片的外围电路因受应力次数不同而产生的失效偏差。

5.如权利要求4所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述失效偏差根据下述公式获得：

f＝C×ln(m/n)+1，其中，f为失效偏差，C为与测试芯片相关的参数，该参数影响所述的失效偏差。

6.如权利要求5所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述与测试芯片相关的参数C为外围电路性能对测试结果的影响因子。

7.如权利要求6所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述影响因子C与外围电路及存储单元阵列对测试结果有影响的有效面积相关。

8.如权利要求7所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述影响因子C由下述公式获得：

其中，A(p)为存储器的外围电路对测试结果有影响的有效面积，A(c)为存储器的存储单元阵列对测试结果有影响的有效面积。

9.如权利要求8所述的可靠性测试方法，其特征在于，所述存储器为非易失性存储器。