[发明专利]InN、GaN及AIN低维纳米结构材料的合成方法无效
| 申请号： | 200910028440.7 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101477950A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 耿秀梅;刘海滨;程国胜 | 申请（专利权）人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;C23C18/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | inn gan ain 纳米 结构 材料 合成 方法 | ||
1.InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，其特征在于：在离子液体中，加入氮源及相应的铟源、镓源、铝源，在温度180～400℃下反应10h以上，过滤，有机溶剂洗涤、干燥，相应的获得InN、GaN、AlN低维纳米结构材料。
2.根据权利要求1所述的InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，其特征在于：所述离子液体采用甲基丁基咪唑氯、或甲基丁基咪唑四氟硼酸盐、或甲基丁基咪唑六氟膦酸盐、或咪唑类离子液体、或吡啶类离子液体。
3.根据权利要求2所述的InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，其特征在于：所述咪唑类离子液体为甲基丁基咪唑氯、或甲基丁基咪唑四氟硼酸盐、或甲基丁基咪唑六氟膦酸盐。
4.根据权利要求2所述的InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，其特征在于：所述吡啶类离子液体为N-丁基吡啶四氟硼酸盐、或乙基吡啶溴。
5.根据权利要求1所述的InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，其特征在于：所述氮源采用1，1，1，3，3，3-六甲基二硅氮烷、或氮化锂、或九甲基三硅胺。
6.根据权利要求1所述的InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，其特征在于：所述铟源采用醋酸铟、或乙二胺四乙酸铟络合物、或氯化铟。
7.根据权利要求1所述的InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，其特征在于：所述镓源为乙酰丙酮镓、或氯化镓、或醋酸镓。
8.根据权利要求1所述的InN、GaN及AlN低维纳米结构材料的合成方法，其特征在于：所述铝源为醋酸铝、或氯化铝、或铝粉。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
