[发明专利]一种用于晶片频率腐蚀的方法及其设备

权利要求书

1、一种用于晶片频率腐蚀的方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：

一、腐蚀液的配置：

F>30MHz时氟化氢铵水溶液(电子级)，分子式：NH4HF2，分子量：57.04，含量33％±1％，密度为1.09～1.10g/ml；17L氟化氢铵水溶液放到腐蚀槽内，温度65±2℃；

二、腐蚀数量：F≤17MHz1000～2000片/篮，F>17MHz1500～2000/篮；式中的F是频率；晶片的规格，共4篮；

三、受电机控制的腐蚀槽振动架，在电机的控制下作上下运动：1～1.5次/秒(晶片型号HC-49U/S)；

四、从将腐蚀的晶片中随机抽测晶片20片，并将该20片的频率记录在计算机档案里，取其中频率最大的5片进行第一次腐蚀，在进行第一次腐蚀前应将所设定的时间和频率记录在计算机档案里，将第一次腐蚀的目标值为上述20片中的平均频率值加上述20片中的最大的频率值除以2，该批次晶片的腐蚀时间由计算机自动计算；

五、启动腐蚀机，待晶片腐蚀到规定时间，将4篮晶片拎出，放入水温在80-100度的三道清洗槽内清洗，每一道槽清洗时间10～15分钟，经三道槽清洗后放在纯净水中超声清洗10～15分钟，然后放入电子级酒精超声脱水8～10分钟，最后烘干，除去晶片表面水迹。

2、根据权利要求1所述的一种用于晶片频率腐蚀的方法，其特征是所述的腐蚀液的配置工艺步骤一，16MHz≤F<30MHz时氟化氢铵水溶液(电子级)，分子式：NH4HF2，分子量：57.04，含量33％±1％，密度为1.09～1.10g/ml；17L氟化氢铵水溶液放到腐蚀槽内，温度50±2℃。

3、根据权利要求1所述的一种用于晶片频率腐蚀的方法，其特征是所述的腐蚀液的配置工艺步骤一，F<8MHz时氟化氢铵固体分子式：NH4HF2，分子量：57.04，氟化氢铵：水(重量比)＝：2:1，配好后的混合液17L放到腐蚀槽内，温度78±2℃。

4、根据权利要求1所述的一种用于晶片频率腐蚀的方法，其特征是所述的腐蚀液的配置工艺步骤一，16MHz<F≤30MHz时氟化氢铵固体分子式：NH4HF2，分子量：57.04，氟化氢铵：水(重量比)＝：1:1.5，配好后的混合液17L放到腐蚀槽内，温度60±2℃。

5、根据权利要求1所述的一种用于晶片频率腐蚀的方法，其特征是所述的腐蚀液的配置工艺步骤五，所述的三道清洗槽内的水量占三道清洗槽3/4的容积；所述的纯净水、电子级酒精占所在超声波2/4的容积。

6、用于晶片频率腐蚀的设备，其特征是在框内设有腐蚀槽，腐蚀槽紧邻三道清洗槽，三道清洗槽和腐蚀槽间用隔板隔开，三道清洗槽间有隔板，三道清洗槽的底部相通；三道清洗槽和腐蚀槽内各有一根传动杆，传动杆上有腐蚀槽振动架，盛放晶片篮放在该振动架上；所述的腐蚀槽外围有一放水隔层。

7、根据权利要求6所述的用于晶片频率腐蚀的设备，其特征是所述的三道清洗槽中的二个隔板间的高度是不同的。

8、根据权利要求6所述的用于晶片频率腐蚀的设备，其特征是所述的腐蚀槽和清洗槽的上方有一个共同的抽风装置。