[发明专利]一种IGBT过压保护方法及采用此方法的过压保护电路

权利要求书

1.一种IGBT过压保护方法，所述方法包括如下步骤：

电压监测电路监测IGBT集电极与发射极间V_CE电压；

当IGBT集电极与发射极间V_CE电压达到限值时，电压抑制电路将IGBT集 电极与发射极间V_CE电压钳位在限定范围内；

比较器反相输入端的电压高于同相输入端电压，比较器输出端电压拉低，保 护驱动电路触发电压抑制电路；

其特征在于，所述方法还包括步骤：保护驱动电路输出IGBT保护驱动触发 可控硅，使可控硅导通，压敏电阻将IGBT集电极与发射极之间的电压钳位在限 定范围内。

2.一种IGBT过压保护电路，包括IGBT，其特征在于，所述IGBT过压保 护电路还包括监测IGBT集电极与发射极间V_CE电压的电压监测电路和可将 IGBT集电极与发射极间V_CE电压钳位在限定范围内的电压抑制电路；所述电压 监测电路包括比较器和电压采样电阻，所述比较器的反相输入端经第一电压采样 电阻与IGBT的集电极相连，该反相输入端还经第二电压采样电阻接地，所述电 压抑制电路包括压敏电阻和可控硅，所述压敏电阻和可控硅串联于IGBT集电极 与发射极之间。

3.根据权利要求2所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述压敏电 阻一端与可控硅的阳极相连，另一端与IGBT的集电极相连，所述可控硅的阴极 与IGBT的发射极相连且接地，所述可控硅的控制极与所述电压监测电路相连。

4.根据权利要求2所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述压敏电 阻连接于IGBT发射极和可控硅阴极之间，所述IGBT发射极接地连接，所述可 控硅的控制极与所述电压监测电路相连。

5.根据权利要求2所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，其还包括保 护驱动电路，所述保护驱动电路连接在比较器输出端和可控硅控制极之间。

6.根据权利要求5所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述保护驱 动电路为三极管，所述三极管的基极与比较器的输出端相连。

7.根据权利要求6所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述保护驱 动电路还包括第四电阻，所述第四电阻连接在比较器的输出端与所述三极管基极 之间。

8.根据权利要求6所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述保护驱 动电路还包括第五电阻，所述第五电阻连接在三极管的集电极与可控硅控制极之 间。

9.根据权利要求2所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述电压监 测电路还包括第三电阻，所述比较器的同相输入端经第三电阻与参考电压端相 连。

10.根据权利要求2所述的IGBT过压保护电路，其特征在于，所述电压抑 制电路还包括第六电阻和第三电容，所述第六电阻和第三电容并联连接，且与可 控硅并联。

11.根据权利要求2至10中任一所述的IGBT过压保护电路，其特征在于， 所述可控硅为单向可控硅或者为双向可控硅。