[发明专利]介电层抛光液无效
| 申请号： | 200910001030.3 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101781522A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 闵学勇;邢振林 | 申请（专利权）人： | 昆山市百益电子科技材料有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层 抛光 | ||
【权利要求书】：
1.一种介电层抛光液，其特征在于抛光液的组分及重量百份比如下：二氧化硅磨料2-50；PH调节剂0.2-10；螯合剂0.1-5；铵盐0.1-5；表面活性剂0.01-5；余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种介电层抛光液，其特征在于，PH调节剂为碱性有机胺，如三乙胺和二异丁基胺中至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种介电层抛光液，其特征在于，螯合剂为乙二胺四乙酸和柠檬酸及其盐中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种介电层抛光液，其特征在于，表面活性剂为醇醚类非离子类表面活性剂，如OP-10和TX-10中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种介电层抛光液，其特征在于，铵盐为硝酸铵、硫酸铵中至少一种。
6.根据权利要求2所述的一种介电层抛光液，其特征在于，所述抛光液的PH值范围为10-11，粒径范围为40-60nm。
7.根据权利要求2所述的一种介电层抛光液，其特征在于，所述抛光液的Na离子含量范围＜0.07％。
8.根据权利要求3所述的一种介电层抛光液，其特征在于，所述抛光液对于介电层抛光速率为0.1-0.2um/min。
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