[发明专利]用于设计使用自适应电压和调节优化的集成电路的系统和方法有效
| 申请号: | 200880131177.8 | 申请日: | 2008-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN102160054A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
| 发明(设计)人: | A·泰特巴姆 | 申请(专利权)人: | LSI公司 |
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 金晓 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 设计 使用 自适应 电压 调节 优化 集成电路 系统 方法 | ||
1.一种用于设计电路的设计流程优化系统,包括:
工艺-电压-温度PVT库数据库,配置为包含将构造所述电路的单元的器件的PVT特性的PVT库;以及
PVT库选择器,耦合到所述PVT库数据库并且配置为接收指示补充目的的选择并且通过从所述PVT库数据库中选择其中一个所述PVT库来响应所述选择,时序签收工具随后使用来自所述其中一个所述PVT库的至多两个角来执行关于所述电路的时序签收。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述PVT库选择器:
如果所述补充目的是减少的功耗,则选择快-低-额定PVT库,
如果所述补充目的是所述减少的功耗和减少的设计周期时间之间的折衷,则选择典型-典型-额定PVT库,以及
如果所述补充目的是所述减少的设计周期时间,则选择慢-高-额定PVT库。
3.根据权利要求2所述的系统,其中所述减少的功耗是最小功耗。
4.根据权利要求1所述的系统,其中所述PVT库包括所述设备的R、C和RC特性中的选定的一个特性。
5.根据权利要求1所述的系统,其中:
如果所述补充目的是减少的功耗,则通过快-低-额定/Cbest角处的各个高温和低温报告来接近关于建立和保持时间违反的时序;
如果所述补充目的是所述减少的功耗和减少的设计周期时间之间的折衷,则通过典型-典型-额定/Cnom角处的最大和最小报告来接近关于建立和保持时间违反的时序;以及
如果所述补充目的是所述减少的设计周期时间,则通过慢-高-额定/Cworst角处的各个高温和低温报告来接近关于建立和保持时间违反的时序。
6.根据权利要求1所述的系统,其中所述时序签收工具还使用静态或动态自适应电压和调节优化裕度来执行所述时序签收。
7.根据权利要求1所述的系统,其中所述电路是使用自适应电压和调节优化的集成电路。
8.一种设计电路的方法,包括:
选择补充目的;
响应于所述补充目的的所述选择从工艺-电压-温度PVT库数据库选择PVT库;
综合所述电路的逻辑结构;
使用适当的单元库将所述电路的构成单元放置在布图中;
对所述构成单元之间的互连进行布线;以及
使用来自所述PVT库的至多两个PVT角执行时序签收。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述选择所述PVT库包括:
如果所述补充目的是减少的功耗,则选择快-低-额定PVT库,
如果所述补充目的是减少的功耗和减少的设计周期时间之间的折衷,则选择典型-典型-额定PVT库,以及
如果所述补充目的是所述减少的设计周期时间,则选择慢-高-额定PVT库。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述减少的功耗是最小功耗。
11.根据权利要求8所述的方法,其中所述PVT库包括所述设备的R、C和RC特性中的选定的一个特性。
12.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:
如果所述补充目的是减少的功耗,则使用快-低-额定/Cbest角处的各个高温和低温报告来接近关于所述电路中的建立和保持时间违反的时序;
如果所述补充目的是所述减少的功耗和减少的设计周期时间之间的折衷,则使用典型-典型-额定/Cnom角处的各个最大和最小报告来接近关于所述电路中的建立和保持时间违反的时序;以及
如果所述补充目的是所述减少的设计周期时间,则使用慢-高-额定/Cworst角处的各个高温和低温报告来接近所述电路中的建立和保持时间违反的时序。
13.根据权利要求8所述的方法,进一步包括使用静态或动态自适应电压和调节优化裕度来执行所述时序签收。
14.根据权利要求8所述的方法,其中所述电路是使用自适应电压和调节优化的集成电路。
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