[发明专利]非正交粒子检测系统和方法有效

专利信息
申请号: 200880123951.0 申请日: 2008-12-02
公开(公告)号: CN101910821A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: J·米切尔;J·桑贝格;D·A·塞尔 申请(专利权)人: 粒子监测系统有限公司
主分类号: G01N21/00 分类号: G01N21/00
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 杨勇;郑建晖
地址: 美国科*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 正交 粒子 检测 系统 方法
【权利要求书】:

1.粒子检测系统,包括:

流体池,用于容纳沿一个流向流过所述流体池的流体;

源,用于生成电磁辐射束,其具有包括一长轴和一短轴的横截面轮廓,所述源被放置为导引所述辐射束经过所述流体池,其中在所述流体中包含的粒子与所述辐射束相互作用,从而生成散射的或发射的电磁辐射;以及

二维检测器,其被放置为与所述流体池光通信,用于接收所述散射或发射的电磁辐射的至少一部分,其中所述二维检测器被放置为非正交于所述光轴。

2.根据权利要求1所述的粒子检测系统,还包括一个光学系统,用于收集或导引所述散射或发射的电磁辐射到所述二维检测器,其中所述光学系统具有被放置为与所述长轴非正交的光轴;且

3.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中在所述长轴和所述流向之间的角度是非正交的。

4.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述二维检测器包括检测器元件阵列,其被放置为使得多个所述检测器元件接收所述散射或发射的电磁辐射。

5.根据权利要求3所述的粒子检测系统,其中所述角度选自5°至85°的范围。

6.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述横截面轮廓具有椭圆或矩形的外形。

7.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述横截面轮廓具有沿着所述短轴的选自5μm和100μm之间的宽度。

8.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述横截面轮廓具有沿着所述长轴的选自50μm和1200μm之间的宽度。

9.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述横截面轮廓的宽度沿着所述长轴延伸到或超过所述流体池的边缘。

10.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述流体池的横截面轮廓具有平行于所述辐射束的传播轴的第一较长边以及垂直于所述辐射束的所述传播轴的第二较短边。

11.根据权利要求10所述的粒子检测系统,其中所述第一较长边具有选自0.25mm至10mm的宽度。

12.根据权利要求10所述的粒子检测系统,其中所述第二较短边具有选自80μm至500μm的宽度。

13.根据权利要求10所述的粒子检测系统,其中所述流体池的长宽比大于或等于20。

14.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述辐射束的传播轴正交于所述流向。

15.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述辐射束的传播轴非正交于所述流向。

16.根据权利要求2所述的粒子检测系统,其中所述光学系统将所述散射或发射的辐射成像到所述二维检测器上。

17.根据权利要求2所述的粒子检测系统,其中所述二维检测器非正交于所述光学系统的光轴。

18.根据权利要求2所述的粒子检测系统,其中所述散射或发射的电磁辐射被所述光学系统聚焦成所述二维检测器上的一个点,该点具有选自5μm至80μm之间的尺寸。

19.根据权利要求2所述的粒子检测系统,其中所述二维检测器具有如下取向:该取向被布置为允许在二维检测器的有效区域上具有所散射或发射的电磁辐射的锐聚焦图像。

20.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述二维检测器具有如下取向:该取向被布置为允许提供所散射或发射的电磁辐射的空间解析图像,其中所述散射或发射的电磁辐射沿着平行于辐射束传播轴的第一轴和平行于辐射束横截面轮廓的长轴的第二轴而被空间解析。

21.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述二维检测器能够执行时延积分。

22.根据权利要求1所述的粒子检测系统,其中所述流向垂直于所述辐射束的传播轴。

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