[发明专利]制造顶发射型OLED器件

权利要求书

1.一种制造顶发射型LED器件的方法，所述方法包括以下步骤：

a)在基板上设置横向间隔开并且不透光的下电极以及与所述下电极电绝缘的上电极总线条；

b)在所述下电极和所述上电极总线条上沉积形成EL介质结构的材料；

c)在所述EL介质结构上沉积保护所述EL介质结构免受微粒污染的第一透光上电极；以及

d)选择性地移除所述上电极总线条的选择性部分上的所述EL介质结构的大部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择性地移除所述EL介质结构的步骤还从所述上电极总线条的一些部分上选择性地移除所述第一透光上电极，以便暴露出所述上电极总线条的至少一些上表面。

3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述第一透光上电极上并且与其直接电接触地沉积第二透光上电极，使得所述第二上电极至少与所述上电极总线条的上表面电接触。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二透光上电极比所述第一透光上电极厚。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择性地移除所述上电极总线条的选择性部分上的所述EL介质结构的步骤使得所述第一上电极至少与所述上电极总线条的上表面电接触。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选择性地移除所述EL介质结构的步骤包括对所述EL介质结构的材料进行烧蚀。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述EL介质结构的材料被加热，以便对所述材料进行烧蚀。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过局部暴露于激光束来实现所述加热步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，当选择性地移除所述EL介质结构时，将所述EL介质结构的材料包含于所述第一透光上电极和所述上电极总线条之间。

10.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在要选择性地移除所述EL介质结构的区域中，在所述EL介质结构上方或下方形成吸热元件。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，将所述吸热元件形成于所述上电极总线条上。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述吸热元件是导电性的或者黑的。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择性地移除所述EL介质结构的步骤包括以下步骤中的一个或更多个：加热、暴露于活性气体、暴露于活性化学物质、机械地移除微粒以及暴露于活性微粒。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，同时形成所述下电极和所述上电极总线条。

15.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述上电极总线条和所述下电极之间设置电绝缘材料。

16.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括向所述上电极或所述下电极提供公共电连接。

17.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

i)提供向所述上电极总线条照射的激光束；以及

ii)提供所述激光束和所述基板上沉积的上电极总线条之间的相对运动。

18.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

i)提供向所述EL介质结构照射的均匀辐射源；以及

ii)在所述源和所述EL介质结构之间设置掩模，并且所述掩模具有对应于所述上电极总线条的位置的掩模开口。

19.一种LED器件，所述器件根据权利要求1所述的方法制成。

20.一种LED器件，所述器件根据权利要求3所述的方法制成。