[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
申请号: | 200880110929.2 | 申请日: | 2008-09-09 |
公开(公告)号: | CN101821422A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 本田和义;神山游马;别所邦彦;柳智文;篠川泰治;佐藤俊忠 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;B22D11/00;B22D11/04;B22D11/059;B22D27/02;C01B33/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
1.一种成膜方法,其用于形成薄膜,其特征在于,该成膜方法包 括:
将所述薄膜的原料的固体熔融,形成熔融液,使所述熔融液凝固 而形成棒状体,将所述棒状体拉出的工序i;
使所述棒状体的一部分熔融,向蒸发源供给的工序ii;和
使用所述蒸发源形成所述薄膜的工序iii,其中,
所述工序i、工序ii和工序iii在真空中进行。
2.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述工序i、工序ii和工序iii同时进行。
3.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
在所述工序ii中,通过利用电子枪对所述棒状体的所述一部分进 行加热而使其熔融,
在所述工序iii中,通过利用所述电子枪对所述蒸发源进行加热而 使其蒸发。
4.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
在所述工序i中,通过从坩埚的一端供给所述原料并对其进行加 热,使所述原料熔融而形成熔融液,接着,在通过在所述坩埚的另一 端进行冷却以使所述熔融液凝固而形成棒状体时,通过所述坩埚从下 部进行所述熔融液的冷却并且从上部对所述熔融液进行加热。
5.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述原料是在凝固时伴随体积膨胀的材料。
6.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述原料是硅或含硅的合金。
7.如权利要求4所述的成膜方法,其特征在于:
所述坩埚由被冷却的金属构成。
8.如权利要求7所述的成膜方法,其特征在于:
所述坩埚由被冷却的铜构成。
9.如权利要求4所述的成膜方法,其特征在于:
所述坩埚的原料供给侧和棒状体形成侧由不同的材料构成,原料 供给侧的坩埚材料与所述原料的熔融液的热导率小于棒状体形成侧的 坩埚材料与所述原料的熔融液的热导率。
10.如权利要求9所述的成膜方法,其特征在于:
所述坩埚的原料供给侧由石墨构成。
11.如权利要求9所述的成膜方法,其特征在于:
所述坩埚的棒状体形成侧由被冷却的金属构成。
12.如权利要求11所述的成膜方法,其特征在于:
所述棒状体的凝固开始线存在于所述被冷却的金属上。
13.如权利要求4所述的成膜方法,其特征在于:
所述坩埚的侧面和底面由不同的材料构成,侧面的坩埚材料与所 述原料的熔融液的热导率小于底面的坩埚材料与所述原料的熔融液的 热导率。
14.如权利要求4所述的成膜方法,其特征在于:
所述凝固时的从熔融液上部进行的加热方法利用电子枪进行。
15.如权利要求4所述的成膜方法,其特征在于:
所述凝固时的从熔融液上部进行的加热方法利用电阻加热进行。
16.如权利要求4所述的成膜方法,其特征在于:
所述原料熔融时的加热区域与所述凝固时的加热区域连续。
17.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
在所述工序i中,一边使所述棒状体旋转一边将其拉出。
18.如权利要求17所述的成膜方法,其特征在于:
所述棒状体的截面形状大致是圆形。
19.如权利要求1所述的成膜方法,其特征在于:
所述工序i、工序ii和工序iii在一个真空槽内进行或在连接的多 个真空槽内进行。
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