[发明专利]荧光体

说明书

技术领域

本发明涉及荧光体。

背景技术

荧光体被用于发光元件。作为发光元件可列举出：荧光体激励源为电子线的电子线激励发光元件(例如电子束管、场致发光显示器、表面电场显示器等)、荧光体的激励源为紫外线的紫外线激励发光元件(例如液晶显示器用背光灯、三波长型荧光灯、高负荷荧光灯等)、荧光体的激励源为真空紫外线的真空紫外线激励发光元件(例如等离子体显示面板、稀有气体灯等)、荧光体的激励源为蓝色LED发出的光或紫外LED发出的光的白色LED、荧光体的激励源为X射线的发光元件(X射线摄像装置等)等。就荧光体而言，通过照射上述的激励源而得以发光。

作为现有的荧光体，专利文献1中公开有由Ca(La、Gd)₄Si₃O₁₃表示的化合物中含有付活剂(也称催化剂)而成的荧光体。

专利文献1：(日本)特开2006-206631号公报

上述荧光体中，在激励源照射后发光亮度难以降低这一点上是充分的，但从得到示出高的发光亮度的荧光体的观点看还有改良的余地。本发明的目的在于，提供一种示出更高的发光亮度的荧光体。

发明内容

本发明者为了解决上述课题而重复进行了刻意研究，其结果直至完成本发明。

即，本发明提供下述发明。

<1>、一种荧光体，由M¹、M²、M³、M⁴、卤素及O构成(在此，M¹表示碱土类金属元素，M²表示三价金属元素，M³表示付活(activator)元素，M⁴表示四价的金属元素)，其中，M¹∶(M²+M³)∶M⁴∶卤素的摩尔比为1∶4∶3∶a(在此，a为0.01以上3以下范围的值)。

<2>如上述<1>所述的荧光体，其中，M¹含有Ba。

<3>如上述<1>或<2>所述的荧光体，其中，M²含有Gd。

<4>如上述<1>～<3>中任一项所述的荧光体，其中，M³含有Tb。

<5>如上述<1>～<4>中任一项所述的荧光体，其中，M⁴含有Si。

<6>如上述<1>～<5>中任一项所述的荧光体，其中，卤素为F。

<7>如上述<1>～<6>中任一项所述的荧光体，其中，a为1以上2以下的范围。

<8>一种荧光体的制造方法，是上述<1>所述的荧光体的制造方法，对金属化合物混合物进行烧结，该金属化合物混合物是含有M¹、M²、M³、M⁴及卤素的金属化合物混合物(在此，M¹表示碱土类金属元素，M²表示三价金属元素，M³表示付活元素，M⁴表示四价的金属元素)，且含有选自由M¹的卤化物、M²的卤化物及M³的卤化物构成的组中的一种以上的卤化物。

<9>如上述<8>所述的荧光体的制造方法，其中，烧结时的保持温度是950℃以上1050℃以下的温度。

<10>一种荧光体，通过上述<8>或<9>记载的制造方法而得到。

<11>一种荧光体浆料，其特征在于，具有上述<1～<7>中任一项或权利要求10所述的荧光体。

<12>一种荧光体层，将上述<11>所述的荧光体浆料涂敷在基板上后通过热处理而得到。

<13>一种发光元件，其具有上述<1>～<7>中任一项或权利要求10所述的荧光体。

<14>一种真空紫外线激励发光元件，其具有上述<1>～<7>中任一项或上述<10>所述的荧光体。