[发明专利]荧光体

权利要求书

1.一种荧光体，由M¹、M²、M³、M⁴、卤素及O构成(在此，M¹表示碱土类金属元素，M²表示三价金属元素，M³表示付活元素，M⁴表示四价的金属元素)，其中，M¹∶(M²+M³)∶M⁴∶卤素的摩尔比为1∶4∶3∶a(在此，a为0.01以上3以下范围的值)。

2.如权利要求1所述的荧光体，其中，M¹含有Ba。

3.如权利要求1或2所述的荧光体，其中，M²含有Gd。

4.如权利要求1～3中任一项所述的荧光体，其中，M³含有Tb。

5.如权利要求1～4中任一项所述的荧光体，其中，M⁴含有Si。

6.如权利要求1～5中任一项所述的荧光体，其中，卤素为F。

7.如权利要求1～6中任一项所述的荧光体，其中，a为1以上2以下的范围。

8.一种荧光体的制造方法，是权利要求1所述荧光体的制造方法，对金属化合物混合物进行烧结，该金属化合物混合物是含有M¹、M²、M³、M⁴及卤素的金属化合物混合物(在此，M¹表示碱土类金属元素，M²表示三价金属元素，M³表示付活元素，M⁴表示四价的金属元素)，且含有选自由M¹的卤化物、M²的卤化物及M³的卤化物构成的组中的一种以上的卤化物。

9.如权利要求8所述的荧光体的制造方法，其中，烧结时的保持温度是950℃以上1050℃以下的温度。

10.一种荧光体，是通过权利要求8或9记载的制造方法所得到的荧光体。

11.一种荧光体浆料，其特征在于，具有权利要求1～7中任一项或权利要求10所述的荧光体。

12.一种荧光体层，将权利要求11所述的荧光体浆料涂敷在基板上后通过热处理而得到。

13.一种发光元件，其具有权利要求1～7中任一项或权利要求10所述的荧光体。

14.一种真空紫外线激励发光元件，其具有权利要求1～7中任一项或权利要求10所述的荧光体。