[发明专利]光电子器件和用于制造多个光电子器件的方法

权利要求书

1.一种光电子器件(1)，具有半导体本体(2)和两个设置在该半导 体本体上的电接触部(7，8)，所述半导体本体具有适于产生辐射的有源 区(4)，其中

接触部与有源区导电地连接，

接触部分别具有背离该半导体本体的连接面(70，80)，

所述连接面设置在器件的连接侧上，

器件的不同于连接侧的侧被镜面化，

所述器件(1)构建为侧面发射的器件，

接触部(7)之一局部地在半导体本体(2)和另外的接触部(8)的 连接面(80)之间延伸，以及

接触部(7，8)在连接侧上彼此电绝缘。

2.根据权利要求1所述的器件，其中镜面化部具有导电的反射层和 介电的反射层。

3.根据权利要求1或2所述的器件，其中所述器件(1)的耦合输出 面(19)具有突起和凹陷(191)。

4.根据权利要求1或2所述的器件，其中所述器件的镜面化的面(35) 在有源区上延伸，其中所述面倾斜于有源区(4)地走向。

5.根据权利要求1或2所述的器件，所述器件实施为能够表面安装 的器件。

6.一种用于制造多个根据上述权利要求之一所述的光电子器件(1) 的方法，包括以下步骤：

-提供带有支承层(300)和多个设置在支承层上的半导体本体(2) 的复合元件(30)，所述半导体本体分别具有适于发射辐射的有源区(4)；

-将反射层(140，141)施加到复合元件上；

-将复合元件分割为多个光电子器件，所述光电子器件分别具有耦合 输出面(19)和形成所述器件的边界的、不同于耦合输出面的并且设置有 反射层的被镜面化的侧面(15，22，17)，其中所述光电子器件(1)分别 构建为侧面发射的器件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在施加反射层(140)之前复合 元件(30)局部地设置有保护层(32，34)，并且在施加反射层之后去除 保护层(32，34)。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中首先将复合元件(30)的 为构建耦合输出面(19)而设计的面镜面化，并且至少局部地去除反射层 (140，141)以构建耦合输出面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中复合元件(30)的为构建耦合 输出面而设计的面设置有保护层(34)，将该保护层镜面化并且随后去除 被镜面化的保护层。

10.根据权利要求6或7所述的方法，其中在施加反射层时，遮挡复 合元件(30)的为构建耦合输出面(19)而设计的面。

11.根据权利要求6或7所述的方法，其中在分割复合元件时实现器 件(1)的耦合输出面(19)。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在分割复合元件(30)时在 耦合输出面(19)中构建凹陷(191)。

13.根据权利要求6或7所述的方法，其中在分割时将反射层(140， 141)分开。

14.根据权利要求6或7所述的方法，其中将反射层(140)沉积在 复合元件(30)上。