[发明专利]适用于CMOS结构的无残留构图层形成方法

权利要求书

1.一种形成构图层的方法，包括：

在位于衬底上方的目标层上方形成掩模层；以及

使用所述掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述目标层，以提供位于所述衬底上方的锥形目标层，所述锥形目标层具有相对于所述衬底的平面的从约30度至约80度的端部锥形。

2.根据权利要求1的方法，其中所述目标层包括选自导体材料、半导体材料以及介电材料的材料。

3.根据权利要求1的方法，其中所述目标层包括栅极电极材料。

4.根据权利要求3的方法，其中所述栅极电极材料包括硅材料。

5.根据权利要求1的方法，其中所述掩模层包括光致抗蚀剂材料。

6.根据权利要求1的方法，其中所述蚀刻所述目标层还提供锥形掩模层。

7.一种形成微电子结构的方法，包括：

在位于衬底上方的目标层上方形成掩模层；

使用所述掩模层作为蚀刻掩模且使用第一蚀刻方法来蚀刻所述目标层，以形成位于所述衬底上方的锥形目标层；

从所述锥形目标层剥离所述掩模层；

在所述锥形目标层上方形成额外目标层，且在所述额外目标层上方形成额外掩模层；以及

使用所述额外掩模层作为蚀刻掩模层且使用第二蚀刻方法来从所述锥形目标层上方蚀刻所述额外目标层，以在所述衬底上方形成与所述锥形目标层横向分隔的构图的额外目标层，而邻近所述锥形目标层没有额外目标层的残留物。

8.根据权利要求7的方法，其中所述锥形目标层具有相对于所述衬底的平面的从约30度至约80度的端部锥形。

9.根据权利要求7的方法，其中所述目标层包括选自导体材料、半导体材料以及介电材料的目标材料。

10.根据权利要求7的方法，其中所述额外目标层包括选自导体材料、半导体材料以及介电材料的分隔目标材料。

11.根据权利要求7的方法，其中所述目标层包括硅栅极电极材料。

12.根据权利要求7的方法，其中所述额外目标层包括金属栅极电极材料。

13.根据权利要求7的方法，其中所述掩模层和所述额外掩模层均包括光致抗蚀剂材料。

14.根据权利要求13的方法，其中所述第一蚀刻方法提供锥形掩模层，而所述第二蚀刻方法不提供额外的锥形第二掩模层。

15.根据权利要求14的方法，其中所述第一蚀刻方法包括氧化剂，而所述第二蚀刻方法不包括氧化剂。

16.一种制造CMOS结构的方法，包括：

在位于半导体衬底上方的第一栅极电极材料层上方形成第一掩模；

使用所述第一掩模作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一栅极电极材料层，以形成位于所述半导体衬底上方的锥形的第一栅极电极材料层；

从所述锥形的第一栅极电极材料层剥离所述第一掩模；

在所述锥形的第一栅极电极材料层上方形成第二栅极电极材料层，且在所述第二栅极电极材料层上方形成第二掩模；以及

蚀刻所述第二栅极电极材料层，以形成与所述锥形的第一栅极电极材料层横向分隔的构图的第二栅极电极材料层，而邻近所述锥形的第一栅极电极材料层没有所述第二栅极电极材料层的残留物。

17.根据权利要求16的方法，其中所述锥形的第一栅极电极材料层具有从约30度至约80度的端部锥形。

18.根据权利要求16的方法，所述第一栅极电极材料层包括硅栅极电极材料。

19.根据权利要求16的方法，其中所述第二栅极电极材料层包括金属栅极电极材料。

20.根据权利要求16的方法，其中所述蚀刻所述第一栅极电极材料层使用包括氧化剂的第一蚀刻剂，以由所述第一掩模提供锥形的第一掩模。

21.根据权利要求17的方法，其中所述蚀刻所述第二栅极电极材料层使用不包括氧化剂的第二蚀刻剂，以不由所述第二掩模形成锥形的第二掩模。