[发明专利]钨数字线及形成和操作钨数字线的方法

权利要求书

1.一种用于在存储器单元(100)中形成数字线(102；204-0、...、204-M；400； 800)的方法，其包括：

在氮化钨(WN_X)衬底(402)上形成钨(W)单层(404)；

在所述钨单层(404)上以在1与10之间的厚度形成硼(B)单层(408)； 及

在所述硼单层(408)上形成体钨层(412；700；808)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含使用由乙硼烷(B₂H₆)及随 后对六氟化钨(WF₆)的氢(H₂)还原构成的一个循环来形成所述钨单层(404)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含以在1埃与10埃之间的厚度形成所述钨单层(404)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含通过在350℃到450℃之间 的温度下对B₂H₆进行热分解来形成所述硼单层(408)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法包含通过对B₂H₆进行热分解达介 于从1秒到20秒范围内的时间周期来形成所述硼单层(408)。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含使用对WF₆的H₂还原通过化 学气相沉积(CVD)来形成所述体钨层(412；700；808)。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含形成数字线(102；204-0、...、 204-M；400；800)，使得所述硼单层(408)中硼的量在所述体钨层(412；700；808) 中钨的量的2％到20％范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含形成具有宽度在1000埃与6000 埃之间的颗粒大小(702；704)的所述体钨层(412；700；808)。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含在存储器单元中形成具有小 于500的厚度的数字线(102；204-0、...、204-M；400；800)。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法包含在存储器单元(100)中形 成具有在9微欧姆·厘米与11微欧姆·厘米之间的中心电阻的数字线(102；204-0、...、 204-M；400；800)。

11.一种存储器装置(920；1010)，其包括：

若干字线(104；202-0、...、202-N)；

若干数字线(102；204-0、...、204-M；400；800)，其由钨(W)单层(404)、 以在1与10之间的厚度形成于所述钨单层(404)上的硼(B)单层(408)及形 成于所述硼单层(408)上的体钨层(412；700；808)形成；

其中每一字线(104；202-0、...、202-N)及数字线(102；204-0、...、204-M； 400；800)均连接到存储器单元(100)，且其中所述存储器单元(100)由电容器(108) 及晶体管(106)组成。

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述数字线(102；204-0、...、204-M； 400；800)连接到与所述存储器单元(100)相关联的晶体管(106)的漏极侧。

13.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述字线(104；202-0、...、202-N) 连接到与所述存储器单元(100)相关联的晶体管(106)的栅极侧。

14.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述钨单层(404)小于10埃厚。