[发明专利]发光设备有效
| 申请号: | 200880011280.9 | 申请日: | 2008-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN101652877A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
| 发明(设计)人: | C·W·A·弗詹斯;D·伯特拉姆 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘 鹏;谭祐祥 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 设备 | ||
技术领域
本发明涉及发光设备,其包括具有基础层、第一电极层和第二电极层的衬底的叠层,其中有机发光层夹在第一和第二电极层之间,该有机发光层发射人造光。
背景技术
为了在房间中产生令人喜欢的气氛,需要大面积照明设备。目前,气体放电灯经常用来产生均匀的光,照明房间的大部分。不幸的是,已知放电灯是昂贵的且效率非常低的。为了克服这个缺点,使用有机发光二极管(OLED)是合适的。OLED的优点在于,它是均匀的光源,潜在地成本低且效率高。有机发光设备(材料和结构)在本领域中是已知的,例如如WO2005/053053A1中所公开的,出于各种目的,该文献的公开内容通过引用合并于此。
然而,OLED具有朗伯(lamberic)特性,从而光均匀地在所有方向上散布。这具有以下缺点:用作大面积照明设备的OLED将发出眩光。由于OLED目前达到高的光通量,因而发射的人造光将使进入受OLED照明的房间的人的眼睛晕眩。
在US2005/0259198A1中,公开了一种用在具有背光源的系统中的准直设备和透射反射器(transflector)。该准直设备具有锥状截面,并且嵌入到覆盖OLED衬底的光学元件层中。该光学元件层的目的是降低光的给定的角分布并且增大峰值强度。然而,如果OLED用作大面积照明设备的话,那么所示出的微观结构将不会防止眩光。
发明内容
本发明的目的是消除上述缺点。特别地,本发明的目的是提供能够没有眩光地照明大的区域的OLED。
这个目的是通过如本发明的权利要求1所教导的发光设备来实现的。从属权利要求中限定了该发光设备的有利实施例。
为了实现本发明的目的,屏蔽结构连接到基础层,其至少部分地覆 盖该基础层,其 中该屏蔽结构包括多个薄板(lamella)元件,这些薄板元件从叠层呈片状延伸,使得这些薄板元件将人造光引导出所述发光设备。
本发明的指导思想是使用宏观薄板元件以便作为OLED发射的环境光的边界并且引导该环境光。因此,OLED的光通量被引导以便照明一定部位或一定区域。此外,由于屏蔽结构的宏观尺寸,观看照明设备的人不会在发光层上具有直接的视线。因此,薄板元件将防止人造光使人眩目。
所描述的发光设备的起源是OLED。该均匀大面积光源包括用于产生人造光的至少三个层。此外,所述OLED可以包括衬底层,该衬底层用作载体并且可以由玻璃或有机材料制成或者由非透射材料(例如金属箔)制成。在该衬底上通常施加透明的氧化铟锡(ITO)薄层,其形成第一电极层。此外,有机发光二极管包括至少一个薄层,其具有大约5-500nm的有机物质层厚度。该OLED由形成第二电极层的金属(比如铝)层规则地覆盖,而该金属层的特征在于大约100nm的厚度以及因此类似于ITO层的厚度。这种厚度的铝作为反射镜而工作,使得发射仅仅通过透明的ITO第一电极层和透明衬底。在本发明的上下文中,术语有机发光层包括单层有机材料以及由若干层构成的包括有机和无机材料的元件。
在本发明的上下文中,术语“基础层”不应当与针对OLED的描述中通常用作其上沉积电极和/或有机层的层的术语“衬底”相混淆。在本发明的意义下,基础层可以是但不一定是衬底。例如,如果使用了底部发射OLED,其中人造光通过衬底离开有机发光层,那么基础层和衬底应当是相同的。在其中使用了顶部发射OLED的情况下,基础层也可以是在所述电极层之一上的涂层片。在这两种情况下,基础层总是OLED的外层,有机发光层中产生的人造光将通过它离开OLED。
屏蔽结构连接到基础层。这种设置实现了两个目标。一方面,人造光由薄板元件引导,因而不会出现眩光。另一方面,屏蔽结构将类似于冷却网而工作,其驱散来自OLED的热量。为了实现第二个目标,必须建立OLED与屏蔽结构之间的机械接触。该连接可以通过实现屏蔽结构与基础层之间的热接触的不同方法来完成,其中该连接包括高的热导率。例如,该连接可以通过将屏蔽结构胶粘或者焊接到基础层来实现。特别地,激光焊接、电阻焊接(resistant welding)或者 电子束焊接被证明是有利的。除了这种合并之外,可以通过薄膜沉积技术来产生屏蔽结构,所述沉积技术例如离子束沉积、电子束沉积、化学气相沉积和电沉积(galvanic depositing)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





