[发明专利]M-C-N-O系荧光体

说明书

技术领域

本发明涉及由IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N)和氧(O) 元素构成的M-C-N-O系荧光体、含有该M-C-N-O系荧光体的聚 合物分散液、发光薄膜或发光体层以及具有该发光体层的无机 电致发光元件、发光元件或荧光管。

背景技术

荧光体应用于荧光管、荧光显示管、夜光性显示板等，其 应用范围在不断扩大。另外，最近尝试与LED组合用于以电视 机监视器为主的各种显示器件，预期有广泛应用的白色荧光体 的研究和开发也正在进行。

另一方面，荧光材料也包含天然的物质，有各种有机物、 无机物，但为了寻求提高所需的发光颜色、峰发光光谱强度、 经济性等，进行了以各种原材料为基础的研究、开发。在这种 荧光体的研究、开发中，与氮化硼(BN)系荧光材料有关的较 少，但有几种被公开。

例如，公开了一种IIIB族氮化物的合成方法，该IIIB族氮化 物通过将含IIIB族元素化合物和含氮化合物溶解在溶剂中，然 后将蒸发溶剂所获得的均匀混合物加热至大约800℃，通过含氮 化合物的氮将IIIB族元素氮化来获得(专利文献1)。而且记载， 在将波长365nm的紫外光照射在由该方法合成的BN微粒上时， 在波长395nm处观测到发光光谱的峰，被观测到发光的BN微粒 的结晶性(六方晶化度)低，含有较多的氧(11.7wt％)，另一 方面，没有观测到发光的BN微粒的结晶性高，氧含有率低 (4.1wt％)。

专利文献1：日本特开2005-97022号公报

另外，提出了一种B-N-O系无定形氮氧化物荧光体，它的 可有效地激发锐钛矿型TiO₂光催化剂的波长380nm附近的发光 强度高，且掺杂有Eu²⁺。据记载，该B-N-O系无定形氮氧化物 荧光体在Eu²⁺掺杂量超过1atm％时，波长372nm的发光强度开始 升高，尤其在超过2.5atm％时，波长372nm的发光强度急剧增高， 在5atm％时显示了极大值(专利文献2)。

专利文献2：日本特开2005-225942号公报

关于上述氮化硼系的荧光材料，还公开了将氮化铝、属于 碳同族体的氮化硅、氧化硅和稀土氧化物烧成而获得的、在可 见光下具有各种发光的赛隆(Sialon)型的荧光体的例子(专 利文献3)。

专利文献3：日本特开2008-13674号公报

此外，还公开了将氮化钙、氮化铝、氮化硅、氧化硅和稀 土氧化物烧成而获得的M-Al-Si-N:Z系荧光体(专利文献4)。

专利文献4：日本特开2006-28295号公报

这种荧光体的应用范围正在扩大，例如，正在应用于电致 发光元件，实例有：在发光体层中使用在硫化锌中掺杂有铜的 荧光体颗粒的无机电致发光元件(专利文献5)；使用硫化锌以 及硫化锶的无机电致发光元件(非专利文献1)；使用硒化镉、 氧化锌的无机电致发光元件(专利文献6)。另外，还公开了使 用硫代铝酸钡等化合物的无机电致发光元件(非专利文献2)。

专利文献5：日本特开2005-339924号公报

专利文献6：日本特开2003-249373号公报

非专利文献1：Journal of Luminescence(发光学报)，第91 卷，第1-2号，2000年9月，第1-6页

非专利文献2：Journal of Rare Earths(稀土学报)，第24 卷，第1号，增刊1，2006年12月，第119-121页。

发明内容

发明要解决的问题