[发明专利]M-C-N-O系荧光体

权利要求书

1.一种M-C-N-O系荧光体，其由IIIB族元素(M)、碳(C)、 氮(N)和氧(O)元素构成，以质量基准计，IIIB族元素(M)、 碳(C)、氮(N)和氧(O)元素的含量各自为：1％＜(M)＜50％， 0.005％＜(C)＜10％，1％＜(N)＜60％，1％＜(O)＜75％。

2.根据权利要求1所述的M-C-N-O系荧光体，其通过所述 碳(C)元素的含量改变色彩。

3.根据权利要求1或2所述的M-C-N-O系荧光体，其中， (M)+(C)+(N)+(O)＝100％。

4.根据权利要求1所述的M-C-N-O系荧光体，其中，以质 量基准计，所述碳(C)元素的含量为0.01～9.0％。

5.根据权利要求1所述的M-C-N-O系荧光体，其中所述荧 光体是具有来源于C＝O键的峰的荧光体。

6.根据权利要求1所述的M-C-N-O系荧光体，其中所述荧 光体的发光光谱的峰顶在波长300～800nm的范围内变化。

7.根据权利要求1所述的M-C-N-O系荧光体，其中所述荧 光体的发光光谱的峰顶在波长400～650nm的范围内变化。

8.根据权利要求1所述的M-C-N-O系荧光体，其中所述IIIB 族元素(M)是硼(B)。

9.一种制造M-C-N-O系荧光体的方法，将包含含IIIB族元 素化合物和含氮有机化合物的混合物加热烧成，获得M-C-N-O 系荧光体，以质量基准计，IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N) 和氧(O)元素的含量各自为：1％＜(M)＜50％，0.005％＜(C) ＜10％，1％＜(N)＜60％，1％＜(O)＜75％。

10.根据权利要求9所述的制造M-C-N-O系荧光体的方法， 其中所述混合物进一步含有分散剂。

11.根据权利要求9或10所述的制造M-C-N-O系荧光体的 方法，其中将含有所述混合物的溶液或悬浮液加热烧成，获得 M-C-N-O系荧光体。

12.根据权利要求9所述的制造M-C-N-O系荧光体的方法， 其中所述加热烧成在没有氧气存在下进行。

13.根据权利要求9所述的制造M-C-N-O系荧光体的方法， 其中所述加热烧成在氧气存在下进行。

14.一种聚合物分散液，其包含由IIIB族元素(M)、碳(C)、 氮(N)和氧(O)元素构成的M-C-N-O系荧光体，以质量基准 计，IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N)和氧(O)元素的含 量各自为：1％＜(M)＜50％，0.005％＜(C)＜10％，1％＜(N) ＜60％，1％＜(O)＜75％。

15.根据权利要求14所述的聚合物分散液，其中所述 M-C-N-O系荧光体具有不同的多个发光峰。

16.一种发光薄膜，其包含由IIIB族元素(M)、碳(C)、 氮(N)和氧(O)元素构成的M-C-N-O系荧光体，以质量基准 计，IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N)和氧(O)元素的含 量各自为：1％＜(M)＜50％，0.005％＜(C)＜10％，1％＜(N) ＜60％，1％＜(O)＜75％。

17.一种无机电致发光元件，其是在背面电极与透明电极 之间具有发光体层的无机电致发光元件，该发光体层包含由 IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N)和氧(O)元素构成的M-C-N-O 系荧光体，以质量基准计，IIIB族元素(M)、碳(C)、氮(N) 和氧(O)元素的含量各自为：1％＜(M)＜50％，0.005％＜(C) ＜10％，1％＜(N)＜60％，1％＜(O)＜75％。

18.根据权利要求17所述的无机电致发光元件，其中所述 发光体层具有分散型无机电致发光元件的构成。