[发明专利]电子照相感光构件、处理盒及电子照相设备

权利要求书

1.一种电子照相感光构件，其包括支承体和在支承体上形 成的感光层，

其中所述电子照相感光构件包括表面层，所述表面层以相 对于表面层全部固体物质为0.6质量％以上的量包含含硅化合 物或含氟化合物，

其中所述电子照相感光构件在表面的全部区域中以每单位 面积100μm×100μm为50以上至70,000以下的数量具有彼此独立 的凹陷部，以及所述凹陷部各自具有大于0.3至7.0以下的各凹 陷部的深度Rdv与长轴径Rpc的比Rdv/Rpc，和0.1μm以上至 10.0μm以下的深度Rdv，所述深度Rdv表示各凹陷部最深部与其 开口表面之间的距离，和

其中通过X-射线光电子能谱ESCA得到的相对于所述电子 照相感光构件表面层最外表面中的组成元素氟元素和硅元素的 总存在比为1.0质量％以上；和比A/B为大于0.0且小于0.5，其中 将A质量％定义为从所述电子照相感光构件表面层最外表面向 内0.2μm部分处存在的氟元素和硅元素的总含量，和将B质量％ 定义为存在于所述最外表面的氟元素和硅元素的总含量，所述 氟元素和硅元素的含量用X-射线光电子能谱ESCA得到。

2.一种电子照相感光构件，其包括支承体和在支承体上形 成的感光层，

其中所述电子照相感光构件包括表面层，所述表面层以相 对于表面层全部固体物质为0.6质量％以上的量包含含硅化合 物或含氟化合物，所述电子照相感光构件与在其表面上的清洁 刮板接触使用，

其中所述电子照相感光构件至少在与清洁刮板接触的电子 照相感光构件的表面部位的全部区域中，以每单位面积 100μm×100μm为50以上至70,000以下的数量具有彼此独立的凹 陷部，以及所述凹陷部各自具有大于0.3至7.0以下的各凹陷部 的深度Rdv与长轴径Rpc的比Rdv/Rpc，和0.1μm以上至10.0μm 以下的深度Rdv，所述深度Rdv表示各凹陷部最深部与其开口表 面之间的距离，和

其中通过X-射线光电子能谱ESCA得到的相对于所述电子 照相感光构件表面层最外表面中的组成元素氟元素和硅元素的 总存在比为1.0质量％以上；和比A/B为大于0.0且小于0.5，其中 将A质量％定义为从所述电子照相感光构件表面层最外表面向 内0.2μm部分处存在的氟元素和硅元素的总含量，和将B质量％ 定义为存在于所述最外表面的氟元素和硅元素的总含量，所述 氟元素和硅元素的含量用X-射线光电子能谱ESCA得到。

3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述 深度Rdv为0.5μm以上至10.0μm以下，和所述深度Rdv与所述长 轴径Rpc的比Rdv/Rpc为大于1.0至7.0以下。

4.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述含 硅化合物为具有至少一个由式(1)表示的结构重复单元的聚硅 氧烷：

在式(1)中，R₁和R₂可相同或不同，并表示氢原子、卤原子、烷 氧基、硝基、取代或未取代的烷基，或者取代或未取代的芳基； 以及k表示1至500的正整数。

5.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述含 硅化合物为具有由以下式(4)表示的结构重复单元和由以下式 (2)或(3)表示的结构重复单元的聚碳酸酯或聚酯：

在式(2)和(3)中，X和Y表示单键、-O-、-S-、取代或未取代的亚 烷基；R₃至R₁₈可相同或不同，并表示氢原子、卤原子、烷氧基、 硝基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基；

在式(4)中，R₁₉和R₂₀可相同或不同，并表示氢原子、烷基或芳 基；R₂₁至R₂₄可相同或不同，并表示氢原子、卤原子、取代或 未取代的烷基、取代或未取代的芳基；a表示1至30的整数；和 m表示1至500的整数。