[实用新型]可控制入刀深度的冲压模具

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于冲压陶瓷生胚的冲压模具，特别是关于一种在陶瓷生胚的冲压过程中可有效地控制刀刃的入刀深度的冲压模具。

背景技术

近年来，陶瓷基板普遍被采用以取代传统的环氧树脂基板。陶瓷基板是用于形成芯片电阻、电位器、集成电路、厚膜电路等电子元件的主要基材。陶瓷基板的材料主要有玻璃-玻璃系、结晶化玻璃-陶瓷复合系、单相陶瓷和氧化铝系，其中以氧化铝系的性能价格比为最优。

氧化铝系陶瓷基板的制造流程一般是先将氧化铝粉体与黏结剂、分散剂及塑化剂等有机物搀配成浆料，通过黏结剂的作用使粉体能聚集在一起，再利用刮刀法等形成有足够强度的陶瓷生胚薄片。该陶瓷生胚再利用金属冲压模具进行冲孔及形成分割槽的工序，冲孔可形成预定的陶瓷生胚的外形，而分割槽则由冲压模具上配置的刀刃压入规定深度而形成。之后，在一定温度下预烧该陶瓷生胚，以去掉其中的有机结合剂。最后，经过在高温下焙烧使之烧结而成形一陶瓷基板。沿该陶瓷基板的分割槽进行分割可最终获得用于形成电子元件如芯片电阻用的陶瓷基材单体。

如图1所示，分割槽5形成于陶瓷基板6的至少一主面上。这些分割槽5将陶瓷基板6区分成多个通常为长方形的格子区域，每一格子区域的短边5a可作为一次分割槽，长边5b则可作为二次分割槽。

陶瓷基板6沿上述一次与二次分割槽5a、5b进行二次分割后可获得用于形成电子元件如图2所示的芯片电阻7的陶瓷基材单体60。该芯片电阻7的制造工序结合图1与图2说明如下：首先，在陶瓷基板6的两主面上印刷形成电极膜71，在烧成之后再在陶瓷基板6一侧的主面上印刷电阻膜72并进行烧成。然后，利用激光修整对电阻膜72的一部分进行整形并将电阻值调整到规定范围。之后，在电阻膜72上印刷保护膜73并再进行烧成。随后，进行一次分割槽5a的断开并在断开后的细长陶瓷基板片的一次分割槽5a的剖面上印刷电极膜71。在烧成之后，再沿二次分割槽5b将细长陶瓷基板片断开，由此即可制成多个如图2所示的芯片电阻7。

在上述陶瓷生胚分割槽的现有冲压形成过程中，分割槽的冲压深度通常都仅靠冲压模具上所设的弹簧的弹性来控制。然而，由于弹簧在长期使用过程中必然会存在弹性疲劳或失效的问题，如弹力松弛与变形等问题，因此容易导致在冲压过程中无法达到稳定的裁切值(入刀值)，造成高温烧结后陶瓷基板的刀口深度极其不稳定，从而最终导致陶瓷基板产品的报废率大幅提高。

因此，极有必要提供一种改进的用于冲压陶瓷生胚的冲压模具，该冲压模具可稳定、有效地控制其刀刃压入陶瓷生胚的入刀深度，以克服上述现有技术存在的缺点。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可控制入刀深度的冲压模具，用于陶瓷生胚的连续冲压过程中。该冲压模具可有效地控制并更改其刀刃的入刀深度，以达到稳定的需求入刀值，从而克服现有的连续冲压过程中刀刃的入刀深度不稳定这一问题。

为实现上述目的，本实用新型提供一种可控制入刀深度的冲压模具，用于陶瓷生胚的连续冲压过程中。该冲压模具由可进行上下冲压动作的一上冲模以及固定的一下冲模合配组成。该上冲模与该下冲模分别包含位置对应的至少一上刀与至少一下刀。所述上刀与所述下刀之间设置有调整元件，该调整元件由不易变形的刚性材料制成，其高度T由所述上刀的高度B、位于所述上刀与下刀之间的陶瓷生胚的厚度H以及所需入刀深度A来确定，满足关系式T＝B-A+H，以控制所述上刀压入陶瓷生胚表面的入刀深度。

根据本实用新型的具体实施例，该调整元件的形式为一垫片，该垫片由碳钢制成，其可固设于所述下刀的两侧。

根据本实用新型的具体实施例，所述上刀包括上刀体及设置于该上刀体上的上刀刃。该上刀体与该上刀刃为整体式结构，该上刀刃的截面夹角为35°～50°。该调整元件设置于该上刀体的底面与所述下刀的顶面之间。

根据本实用新型的具体实施例，该上冲模进一步包含一模柄、一上模座、一真空板以及一基座，所述上刀设置于该基座上。该模柄与冲床的曲轴连杆相连接。

根据本实用新型的具体实施例，该下冲模进一步包含固定在冲床上的一下模座，所述下刀设置于该下模座上。

根据本实用新型的具体实施例，该上冲模的该上模座底面设有若干个导套，而该下冲模的该下模座的顶面对应设有若干个导柱，用于与导套导接配合而使上冲模与下冲模合配。