[实用新型]太阳能电池的制造装置无效
| 申请号: | 200820126233.6 | 申请日: | 2008-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN201349016Y | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
| 发明(设计)人: | 林瑞堉;张仁明;陈正锴;陈诗涌;林哲民;沈家麟 | 申请(专利权)人: | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 洪;霍育栋 |
| 地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 制造 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池的制造装置,尤其涉及一种将划线、检测与修补等过程整合在同一机台上的太阳能电池的制造装置。
背景技术
太阳能电池的种类繁多,通常所称的太阳能电池包括硅晶型太阳能电池、薄膜型太阳能电池、电化学太阳能电池、以可弯曲基材制造的太阳能电池、及各种一般的具有平板型特征的太阳光发电装置,其中硅晶型太阳能电池又包括有:以单晶硅、多晶硅等不同材质所制的;薄膜型太阳能电池又包括有:以非晶硅、微晶硅、CIGS(铜铟硒化镓)、CdTe(锑化镉)、多元化合物等不同薄膜材质的单层或多层结构所制成的;电化学太阳能电池又包括有:以有机材料、高分子材料、纳米材料等制成的;以及以可弯曲基材制造的太阳能电池又包括有:以金属薄片或化合物薄片为基材所制成的。若依材料的种类来区分,可分为单晶硅(single crystal silicon)、多晶硅(polycrystal silicon)、非晶硅(amorphous silicon,简称a-Si)、III-V族,包括:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓铟(InGaP)、II-VI族,包括:碲化镉(CdTe)、硒化铟铜(CuInSe2)、电化学材料其包括:染料敏化、有机材料、高分子材料、纳米材料等。
在太阳能电池的整体制造过程中,所谓的“组件图案划线过程”,包括了以不同划线方式,诸如:使用雷射、使用刮刀、滚刀或滚轮等机械方式,或者使用其他细微加工技术来做组件图案划线等;而所谓“不同划线方式所造成各种的瑕疵”包括:断线、材料底层剥离、镀膜层剥离、杂质、毛边、短路、线宽过粗、线宽过细、线间距不准确、尺寸不良、膜厚不均、断差不良等等,以及任何可能需要进行事后修补的产品瑕疵;而所谓“瑕疵修补”则包括:雷射修补(Laser Repair)、机械划线修补(Mechanical Scribing Repair)、电性加载修补(Electronics Loading Repair)等,以及其他需进行事后的局部修补或重新加工的生产装置。
在现有的太阳能电池的组件图案划线过程中,当采用不同划线方式,诸如:使用雷射、使用刮刀、滚刀、滚轮等机械方式,或使用其他细微加工技术等组件图案划线方式,对于使用这些方式所造成的各种瑕疵,诸如:断线、材料底层剥离、镀膜层剥离、杂质、毛边、短路、线宽过粗、线宽过细、线间距不准确、尺寸不良、膜厚不均、断差不良等,通常是经由各类瑕疵检测设备或人工目检台,先判定其瑕疵类型,再将不同瑕疵类型的太阳能面板送至相对应的修补设备进行瑕疵修补,以提高生产线的成品率;或者经由电性量测的方式,来进行组件划线过程的完成度测试,并且进一步地可应用电性加载的方式,来进行各类瑕疵的修补。
目前业界公知的制造过程与相关生产装置,对于组件图案的划线过程可能产生的各种瑕疵,并没有成效良好的检测方式;对于此类瑕疵的修补,更缺乏有效的处理装置。并且,目前将组件图案划线、检测装置与修补装置分别独立为一个工作站的生产架构,势必会造成必须同时购置多种生产设备,导致投资金额庞大与经济效益低的问题,而且还需要大面积的生产线空间、必须配合复杂的物流与仓储系统、增加了造成产品质量控制漏洞的可能性等等重大问题,且将太阳能板由各别独立的组件图案划线运送至检测装置或修补装置,不但额外拉长制造时间,且太阳能板在运送至检测装置或修补装置后,还需要进行数次反复的重新精确定位,在现今追求微型化电子装置的时代,重新定位难免造成误差。
除了量产线所需的制造装置之外,在许多特定需求状况下,例如:多样化的弹性化生产系统、各种尺寸的太阳能电池、产品研究发展用的整合性用途,以及基板上无二维条形码的产品质量监控等等,也同时会有需要整合型设备的需求。
因此将已知的太阳能电池制造装置的主要缺陷罗列如下表。
表1为已知太阳能电池制造装置的主要缺失列表。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





