[实用新型]一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置无效
申请号: | 200820124149.0 | 申请日: | 2008-11-25 |
公开(公告)号: | CN201302593Y | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 杨海;杨鹏;王学武;冯誉耀 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02;G01R1/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 童晓琳 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 晶体 平面 电阻率 测量 固定 装置 | ||
1、一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置,其特征在于,导轨(2)固定在底座(1)上,轴承(3)安装在导轨(2)上,且沿导轨(2)滑动,底板(4)固定在轴承(3)上,设置4个立臂(6),立臂(6)通过压环(5)固定在底板(4)上,立臂(6)在底板(4)上沿压环(5)旋转,每个立臂上端都有横臂(7),横臂(7)自由移动,且由上盖(8)固定在立臂(6)上,横臂(7)的前端设置触头(9),触头(9)通过紧固螺丝(10)固定在横臂(7)的前端,触头(9)带有倾角,触头(9)上固定胶皮垫,探针(11)在底座(1)的竖直杆上上下移动。
2、根据权利要求1所述的一种用于锗晶体平面电阻率测量的同定装置,其特征在于,所述触头(9)带有倾角为45°。
3、根据权利要求1或2所述的一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置,其特征在于,所述触头(9)在触头(9)斜面与竖直向下方向呈15~90°角度内自由摆动。
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