[实用新型]制冷装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及制冷领域，更具体地说，涉及一种利用半导体导电产生制冷作用的制冷装置。

背景技术

如图1所示为现有制冷装置示意图，制冷装置包括直流电源、电源线、制冷板，其中制冷板包括与所述直流电源串联的若干“N”型半导体10及“P”型半导体12、连接件13、连接件15和绝缘导热陶瓷片，直流电源产生的电流通过连接件13、连接件15(铜连接片)以串联方式依次流过制冷片内部的多个“N”型半导体10和“P”型半导体12，根据珀尔帖效应：当直流电通过由两种不同材料构成的回路时，其相应的结点上将呈现出“吸热”或“放热”的现象。本图中，电流方向是从“N”向“P”流通，其上方的所有结点(即上方的铜连接片)都是N--P结点，将产生“吸热”现象，而下方的所有结点(即下方的铜连接片)都是P--N结点，将出现“放热”现象。

由图1中可知，固定到上方陶瓷片20上的所有铜连接片13都是会出现“吸热”现象的结点，固定到下方陶瓷片11上的所有铜连接片15都是会出现“放热”现象的结点。这样，上方的陶瓷片20所构成的平面为“吸热”面，下方的陶瓷片11所构成的平面为“放热”面。这种“冷”、“热”面相对于内部“吸热”、“放热”结点的连接方式即为热性能上的“共聚”，或称为热性能上的“并联”。

普通的热电制冷片就是由更多的“P”、“N”型半导体通过铜连接片和绝缘导热陶瓷片的连接方法，实现其电性能上的“串联”和热性能上的“并联”连接而制成的。

表1

表2

如图2至4及表1、表2所示，现有的“N”型和“P”型半导体的外形皆为相同的长方体，并且是采用碲化铋制造而成，其横截面积S和高度L的取值范围分别为1.6197平方毫米至1.6724平方毫米和2.0225毫米至2.0625毫米，其制冷效率分别为11.99％和13.19％。近年来碲和铋的价格飞涨了十几倍，使生产这种制冷装置的成本不断上升。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述由于碲和铋材料价格飞涨缺陷，提供一种可以减少用料而制冷性能不变的制冷装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种制冷装置，包括直流电源、与所述直流电源串联的“N”型半导体及“P”型半导体，所述“N”型半导体及“P”型半导体相互间隔串联，所述“N”型半导体与所述“P”型半导体为外形相同的长方体。所述“N”型半导体的截面面积的取值范围为0.8096平方毫米至1.4020平方毫米，所述“N”型半导体的高度的取值范围为1.012毫米至1.7528毫米。

在本实用新型所述的制冷装置中，所述“N”型半导体的截面面积的取值范围为0.8096平方毫米至1.1282平方毫米，所述“N”型半导体的高度的取值范围为1.1012毫米至1.4205毫米。

在本实用新型所述的制冷装置中，所述“N”型半导体的截面面积为1.1282mm²，所述“N”型半导体的高度为1.4205毫米。

在本实用新型所述的制冷装置中，所述“N”型半导体的截面面积为0.8096平方毫米，所述“N”型半导体的高度为1.012毫米。

在本实用新型所述的制冷装置中，所述“N”型半导体的截面面积为1.4020平方毫米，所述“N”型半导体的高度为1.7528毫米。

在本实用新型所述的制冷装置中，所述连接件为铜连接片。

在本实用新型所述的制冷装置中，所述“N”型半导体或所述“P”型半导体的外端设置有绝缘导热陶瓷片。

实施本实用新型的制冷装置，具有以下有益效果：

本实用新型的制冷装置通过把“N”型半导体与所述“P”型半导体的截面面积的取值范围为0.8096平方毫米至1.4020平方毫米，所述“N”型半导体或“P”型半导体的高度的取值范围为1.012毫米至1.7528毫米。减少了材料的使用，而制冷效果不变，使产品成本降低。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是现有技术和本实用新型制冷装置的结构示意图；

图2是现有技术和本实用新型的制冷板的正视示意图；

图3是图2的俯视示意图；

图4是现有技术和本实用新型的制冷板中的“P”型半导体或“N”型半导体的立体示意图。

具体实施方式