[实用新型]制冷装置有效
| 申请号： | 200820096136.7 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN201262497Y | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李达华;廖大慈 | 申请（专利权）人： | 美固电子(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 高占元 |
| 地址： | 518033广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制冷 装置 | ||
1、一种制冷装置，包括直流电源、与所述直流电源串联的“N”型半导体及“P”型半导体，所述“N”型半导体及“P”型半导体相互间隔串联，所述“N”型半导体与所述“P”型半导体为外形相同的长方体，其特征在于，所述“N”型半导体的截面面积的取值范围为0.8096平方毫米至1.4020平方毫米，所述“N”型半导体的高度的取值范围为1.012毫米至1.7528毫米。
2、根据权利要求1所述的制冷装置，其特征在于，所述“N”型半导体的截面面积的取值范围为0.8096平方毫米至1.1282平方毫米，所述“N”型半导体的高度的取值范围为1.1012毫米至1.4205毫米。
3、根据权利要求1或2所述的制冷装置，其特征在于，所述“N”型半导体的截面面积为1.1282mm2，所述“N”型半导体的高度为1.4205毫米。
4、根据权利要求1或2所述的制冷装置，其特征在于，所述“N”型半导体的截面面积为0.8096平方毫米，所述“N”型半导体的高度为1.012毫米。
5、根据权利要求1所述的制冷装置，其特征在于，所述“N”型半导体的截面面积为1.4020平方毫米，所述“N”型半导体的高度为1.7528毫米。
6、根据权利要求5任一权利要求所述的制冷装置，其特征在于，所述连接件为铜连接片。
7、根据权利要求5任一权利要求所述的制冷装置，其特征在于，所述“N”型半导体、所述“P”型半导体的外端设置有绝缘导热陶瓷片。
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