[实用新型]光刻版夹具无效
申请号: | 200820092598.1 | 申请日: | 2008-03-14 |
公开(公告)号: | CN201188170Y | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 王友旺 | 申请(专利权)人: | 深圳深爱半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 518029广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 夹具 | ||
【技术领域】
本实用新型涉及半导体制造工艺,尤其涉及用于清洗光刻版的夹具。
【背景技术】
在半导体制造工艺中,每一个环节对环境、器具的清洁干净度都有很高的要求,即使是一丁点的沾污都会对产品的质量产生重要的影响,因此每一个细节的控制都非常重要,其中光刻版表面的清洁干净程度尤其重要。
目前,光刻版的清洗过程一般是将花篮固定在甩版机上的夹具,再将光刻版放在花篮里,大约每次放置十五块版,然后对光刻版进行低速冲水以及高速甩干。
但是,上述冲洗过程中仅仅从光刻版一个方向上进行冲水,难以彻底对光刻版进行清洁,而且光刻版与花篮之间存在一定空间,在高速旋转时容易发生光刻版撞碎的情况。
【发明内容】
本实用新型的目的是提供一种光刻版夹具,以提高光刻版的清洁效果,并有效地防止光刻版在甩干过程中受到损坏。
为达到上述发明目的,本实用新型提出以下的技术方案:
一种光刻版夹具,包括一底座,所述底座上固设有一安装架,所述安装架边缘设有内径小于光刻版外径的夹持部,所述夹持部内侧设有放置光刻版的凸垫,其中,所述夹持部由韧性材料制成;所述底座中心还设有一可与马达/电机配合的转动装置。
其中,所述转动装置为设置于底座中心的可与马达/电机轴干配合转动的通孔。
优选地,所述通孔上还加装有一螺钉。
优选地,所述通孔边缘设有防水孔。
其中,所述转动装置为设置于底座中心的转动轴,以及可与所述转动轴配合的传动带或传动齿轮。
优选地,所述凸垫的面积为0.01~4cm2。
优选地,所述安装架为“十”字型。
其中,所述安装架的夹持部为直角,且四个夹持部围成矩形。
优选地,所述安装架为“人”字形。
优选地,所述韧性材料为聚四氟乙烯。
从以上技术方案可以看出,本实用新型由韧性材料制作而成,有一定韧性,光刻版与夹具通过过盈配合固定在一起,且一个夹具只放置一块光刻版,不会产生相互撞击而损坏。此外,本实用新型与光刻版的接触面积很小,可以很好地保护光刻版的版图面不受划伤或污染,且对光刻版的表面冲洗更充分,提高了清洗的效果。
【附图说明】
图1为本实用新型的结构图;
图2为本实用新型的俯视图。
【具体实施方式】
下面结合具体的实施例对本实用新型的技术方案进行详细的描述。
实施例一:
如图1、图2所示,本实施例中夹具包括底座1,底座1上设有安装架2和通孔3。其中安装架2边缘设有内径小于光刻版外径的夹持部2.1,夹持部2.1内侧设有放置光刻版的凸垫2.2,其中,所述夹持部2.1由韧性材料制成,可与光刻版过盈配合,一般而言,夹持部2.1内径可比光刻版外径略小0.5mm,由于夹持部2.1由韧性材料制成,具有一定的伸缩性,稍用力即可将光刻版压入夹持部2.1,直至凸垫2.2。
底座1中心还设有一可与马达/电机轴干配合转动的通孔3,为了防止水与马达/电机轴干接触,达到放水的目的,本实用新型还在通孔3上还加装有一由聚四氟乙烯制成的螺钉4,在通孔3边缘设有防水孔5。
由于光刻版与夹具通过过盈配合在一起,非常牢固,即使在3600RPM的高转速下也不会甩出,不会产生相互撞击而损坏。
实施例二:
本实施例与实施例一相比,在夹光刻版处结构不变的情况下,通过改变夹具与马达/电机的传动方式来完成本实用新型的目的。本实施例的夹具包括底座1,底座1上设有安装架2和通孔3。其中安装架2边缘设有内径小于光刻版外径的夹持部2.1,夹持部2.1内侧设有放置光刻版的凸垫2.2,其中,所述夹持部2.1由韧性材料制成,可与光刻版过盈配合,一般而言,夹持部2.1内径可比光刻版外径略小0.5mm,由于夹持部2.1由韧性材料制成,具有一定的伸缩性;底座1中心还设有一转动轴,以及可与所述转动轴配合的传动带或传动齿轮,马达/电机可通过传动带或传动齿轮带动夹具高速转动,对光刻版进行甩干。
进一步,为了保护光刻版版图面,夹具与光刻版的接触面积要尽可能的小,特别是光刻版的版图面要尽量不与夹具进行接触,在本实用新型中,支撑光刻版的凸垫2.2的面积很小,一般仅仅为0.01~4cm2(优选为1cm2左右),不会与光刻版的版图面接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳深爱半导体有限公司,未经深圳深爱半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820092598.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备