[实用新型]大功率IGBT智能驱动模块无效
申请号: | 200820081142.5 | 申请日: | 2008-04-29 |
公开(公告)号: | CN201204544Y | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 余世科;杨晓俊 | 申请(专利权)人: | 昆明佩斯迈克科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M7/48 |
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地址: | 650031云南省昆明市学府*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 igbt 智能 驱动 模块 | ||
技术领域:
本实用新型涉及一种驱动模块,具体地是一种大功率IGBT智能驱动模块。
背景技术:
大功率IGBT智能驱动模块用于控制大功率IGBT模块按照控制信号可靠的开通和关断。广泛运用于大功率变频器以及其它大功率变换设备。
IGBT作为电力电子系统中最具有应用前景的功率半导体器件之一,其耐用强度和使用寿命直接关系到整个系统的可靠性。就IGBT器件本身而言,可靠的驱动电路设计直接关系到其使用寿命。同时,随着微电子技术及半导体集成技术的飞速发展,数字信号处理器正逐步成为电力电子技术及运动控制领域应用越来越广的微控制器。设计可靠的驱动方案已成为以数字信号处理器为核心的运动控制系统长期可靠运行的关键环节之一。目前国内生产的大功率IGBT的智能驱动模块功率小,且可靠性较差,无法满足大功率IGBT模块的驱动要求。
经文献检索,未见与本实用新型相同的公开报道。
发明内容:
本实用新型的目的在于克服现有技术之不足,提供一种功能完善的大功率IGBT智能模块。
本实用新型的工作原理是:
本实用新型由PIN针和电路构成,其中电路由电源电路、IGBT门极智能驱动电路和功率扩展电路构成。其中DC总线转换电路为驱动模块提供可靠隔离的直流电源,IGBT门极智能驱动电路实现功能完善、可靠的IGBT门极驱动,功率扩展电路用于扩大IGBT门极驱动的功率,确保IGBT可靠的开通和关断。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
本实用新型的电源电路采用了以IR公司提供的总线电源变换芯片IR2085为核心的DC总线隔离转换电路。具有电路结构简单,转换效率高等优点。
本实用新型的门极智能驱动电路采用IGBT专用智能驱动芯片1ED020I12或是IICPL-316J作为主控芯片,具备隔离驱动以及欠压保护等功能。
本实用新型的功率扩展电路由多只快速的NPN和PNP功率半导体器件构成。
本实用新型的有益效果是:
采用DC总线转换电路,具有结构简单,体积小,转换效率高的优点。
采用了专用的IGBT隔离驱动芯片,具有隔离效果好,保护功能完善等优点。
采用了多只快速的NPN和PNP功率半导体器件作为功率扩展电路,具有响应快,功率大、且扩展灵活的优点。
附图说明:
图1是电路原理总图。
图2是电源电路(1)原理图。
图3是1GBT门极智能驱动电路(2)和功率扩展电路(3)原理图。
图4是1200A/1200V的大功率IGBT驱动模块的原理图。
具体实施方式:
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
实施例:1200A/1200V的大功率IGBT驱动模块。模块由PIN针和电路构成,电路由电源电路1、分别与电源电路输入和输出连接的IGBT门极智能驱动电路2、分别与电源电路1输出端和IGBT门极智能驱动电路2输出端连接功率扩展电路3构成。额定输入电压:直流15V;额定输出功率:9W,最大输出电流:32A。
模块的电路原理如图5所示。图中U1选用IR2085,U2选用AS1117-5,U3选用HCPL-316J,V2和V3选用FL014,V4和V6选用SK3B,V5和V7分别选用16V/1W和12V/1W的稳压二极管,V12和V13选用MJD44HH11,V14和V15选用MJD45HH11,T1选用EDF15高频磁芯。
使用表明:本实用新型驱动功率大,工作频率高,保护功能完善。
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