[实用新型]低噪声降频器无效
| 申请号: | 200820000457.2 | 申请日: | 2008-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN201153248Y | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
| 发明(设计)人: | 张国添;陈嘉伦 | 申请(专利权)人: | 台扬科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H03D9/00 | 分类号: | H03D9/00 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 噪声 降频器 | ||
1.一种低噪声降频器,其特征在于包含:
低噪声放大器,用以放大高频接收信号;
至少一个本地振荡器,用以产生至少一个本地振荡信号;
至少一个混频器,利用该本地振荡信号将该高频接收信号降成至少一个中频信号;
至少一个中频放大器,用以放大该中频信号;以及
至少一个调节器,连接至该中频放大器,用以提供该低噪声放大器、该本地振荡器、该混频器稳定电流或电压;
其中该本地振荡器的电流输入端和该低噪声放大器的电流输入端形成共用端点,该共用端点连接至该中频放大器的电流输出端。
2.根据权利要求1的低噪声降频器,其特征在于该共用端点经过电容接地。
3.根据权利要求1的低噪声降频器,其特征在于该中频放大器的电流输入端连接至该调节器的输出端的端点经过电容接地。
4.根据权利要求1的低噪声降频器,其特征在于该本地振荡器的电流输入端经过电容接地。
5.根据权利要求1的低噪声降频器,其特征在于该低噪声放大器的电流输入端经过电容接地。
6.根据权利要求1的低噪声降频器,其特征在于该调节器的输入端经过射频扼流圈连接至该中频放大器的输出端。
7.根据权利要求1的低噪声降频器,其特征在于还包含:专用集成电路,其连接于该共用端点和该中频放大器之间,用以提供该低噪声放大器、该本地振荡器和该混频器所需的偏压。
8.根据权利要求1的低噪声降频器,其特征在于该中频放大器的数量和该混频器的数量相同。
9.一种低噪声降频器,其特征在于包含:
低噪声放大器,用以放大高频接收信号;
至少一个本地振荡器,用以产生至少一个本地振荡信号;
至少一个混频器,利用该本地振荡信号将该高频接收信号降成至少一个中频信号;
至少一个中频放大器,用以放大该中频信号;以及
至少一个调节器,连接至该低噪声放大器,用以提供该本地振荡器、该混频器和该中频放大器稳定电流或电压;
其中该本地振荡器的电流输入端和该中频放大器的电流输入端形成共用端点,该共用端点连接至该低噪声放大器的电流输出端。
10.根据权利要求9的低噪声降频器,其特征在于该共用端点经过电容接地。
11.根据权利要求9的低噪声降频器,其特征在于该低噪声放大器的电流输入端连接至该调节器输出端的端点经过电容接地。
12.根据权利要求9的低噪声降频器,其特征在于该本地振荡器的电流输入端经过电容接地。
13.根据权利要求9的低噪声降频器,其特征在于该中频放大器的电流输入端经过电容接地。
14.根据权利要求9的低噪声降频器,其特征在于该调节器的输入端经过射频扼流圈连接至该中频放大器的输出端。
15.根据权利要求9的低噪声降频器,其特征在于该中频放大器的数量和该混频器的数量相同。
16.一种多输出低噪声降频器,其特征在于包含:
根据权利要求1的第一低噪声降频器,用以接收该多输出低噪声降频器的垂直相位输入信号;
根据权利要求1的第二低噪声降频器,用以接收该多输出低噪声降频器的水平相位输入信号;以及
切换器,其多个输入端分别连接至该第一低噪声降频器和该第二低噪声降频器的中频放大器的输出端,用以提供该多输出低噪声降频器的输出信号。
17.根据权利要求16的多输出低噪声降频器,其特征在于该多输出低噪声降频器为双输出的低噪声降频器。
18.根据权利要求16的多输出低噪声降频器,其特征在于该切换器为四输入二输出的切换器,用以提供该多输出低噪声降频器的输出信号。
19.根据权利要求16的多输出低噪声降频器,其特征在于该多输出低噪声降频器为四输出的低噪声降频器。
20.根据权利要求19的多输出低噪声降频器,其特征在于该切换器包含两个四输入二输出的切换器,用以提供该多输出低噪声降频器的输出信号。
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