[发明专利]便携式供电装置无效
| 申请号: | 200810306258.9 | 申请日: | 2008-12-15 |
| 公开(公告)号: | CN101752441A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
| 发明(设计)人: | 江国丰;谌秉佑;张乃文;林姗儒 | 申请(专利权)人: | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201600 上海市松江区*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 便携式 供电 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种便携式供电装置,尤其涉及一种便携式太阳能供电装 置。
背景技术
现如今,便携式电子装置,例如手机,MP3等,已经成为人们的日常生 活用品。这些便携式电子装置通常需要自身携带的电池对其提供电能。由于 储存在电池中的电能有限,并且在实现丰富功能的同时需要消耗更多电能, 因此人们通常需要使用备用电池以克服以上不足。但是,当备用电池的电能 也用尽时,便携式电子装置便无法再继续使用。
有鉴于此,有必要提供一种能够提供持续电能的便携式供电装置。
发明内容
下面将以实施例说明一种能够提供持续电能的便携式供电装置。
一种便携式供电装置,其包括一个中空透光壳体,一个导光元件,一个 聚光透镜,一个光能转换元件及一个电能输出元件。该壳体具有第一折射率, 且太阳光经由该壳体的至少部分外表面射入该壳体。该导光元件设置在该壳 体内且与该壳体相贴合。该导光元件具有大于第一折射率的第二折射率。该 聚光透镜设置在该壳体内且与该导光元件相邻。该聚光透镜用于会聚经由该 导光元件传输并射至该聚光透镜上的光线。该光能转换元件设置在该壳体中 且位于该聚光透镜的出射光方向以用于接收经由该聚光透镜会聚的光线并 将光能转换为电能。该电能输出元件与该光能转换元件电性连接,且该光能 转换元件产生的电能经由该电能输出元件输出。
相对于现有技术,所述便携式供电装置的壳体内部设置有导光元件,且 导光元件具有大于该壳体的第一折射率的第二折射率,所以射入壳体内部的 太阳光在该导光元件的内部容易发生全反射。该壳体内部传输的太阳光经由 该聚光透镜会聚后入射至该光能转换元件上。该光能转换元件将接收到的太 阳光转换为电能,并经由该电能输出元件输出该便携式供电装置为其它电子 装置提供持续地电能。另外,由于该聚光透镜的会聚作用,入射至该光能转 换元件上的光线较为集中,从而使得该光能转换元件具有较高的光电转换效 率。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的便携式供电装置的结构示意图。
图2是图1所示便携式供电装置沿II-II的部分截面示意图。
图3是本发明第二实施例提供的便携式供电装置的结构示意图。
图4是图3所示便携式供电装置沿IV-IV的部分截面示意图。
图5是本发明第三实施例提供的便携式供电装置的部分截面示意图。
图6是本发明第四实施例提供的便携式供电装置的结构示意图。
图7是图6所示便携式供电装置沿VII-VII的部分截面示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。
请参见图1与图2,本发明第一实施例提供的一种便携式供电装置10, 其包括一个透光壳体11,一个导光元件12,一个聚光透镜13,一个光能转 换元件14及一个电能输出元件15。
透光壳体11具有中空板状结构,其包括一个顶板112及一个底板114。 顶板112的顶面1120是透光壳体11的第一入光面,底板114的底面1140 是透光壳体11的第二入光面。太阳光经由顶板112的顶面1120与底板114 的底面1140射入透光壳体11内。顶板112与底板114具有第一折射率。
导光元件12设置在透光壳体11中且位于顶板112与底板114之间。导 光元件12包括一个第一反射片122及一个与第一反射片122相对的第二反 射片124。第一反射片122与第二反射片124分别与顶板112与底板114相 贴合。第一反射片122与第二反射片124具有大于所述第一折射率的第二折 射率。
聚光透镜13设置在透光壳体11中且与导光元件12相邻。聚光透镜13 用于会聚经由导光元件12传输的并射至其上的光线。
光能转换元件14设置在透光壳体11中且与导光元件12相邻,且聚光 透镜13设置在光能转换元件14的与导光元件12相邻的一侧。光能转换元 件14用于接收经由聚光透镜13会聚的光线,并将其转换为电能。在本实施 例中,光能转换元件14为太阳能电池板。
电能输出元件15与光能转换元件14电性连接。光能转换元件14产生 的电能经由电能输出元件15输出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司,未经富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810306258.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





